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MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, NMOS, 256K X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY (DRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 85152E) 微电路、存储器、数字、NMOS、256K X 1动态随机存取存储器(DRAM)、单片硅(取代DESC 85152E)
发布日期: 2006-05-02
分类信息
发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
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研制信息
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