现行

MIL DSCC 5962-95624C

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, 512K X 32-BIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS
微电路 混合 存储器 数字 512K X 32位 静态随机存取存储器 CMOS

2006-02-06

现行

MIL DSCC 5962-93156B

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 8-BIT (SUPERSEDING DESC 5962-93156A)
微电路 混合 存储器 数字 静态随机存取存储器 CMOS 128K X 8位（取代DESC 5962-93156A）

2000-07-10

现行

MIL DSCC 5962-94611R

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, 512K X 32-BIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS (SUPERSEDING DSCC 5962-94611P)
微电路 混合 存储器 数字 512K X 32位 静态随机存取存储器 CMOS（取代DSCC 5962-94611P）

2004-05-03

现行

MIL DESC 5962-90858

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 64K X 16 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 64K X 16静态随机存取存储器 单片硅

1991-01-29

现行

MIL DSCC 5962-93157G

MICROCIRCUIT, MEMORY, HYBRID AND MONOLITHIC, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 256K X 8-BIT (SUPERSEDING DSCC 5962-93157F)
微电路 存储器 混合和单片 数字 静态随机存取存储器 CMOS 256K X 8位（取代DSCC 5962-93157F）

2002-04-02

现行

MIL DESC 5962-91593

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BICMOS, 16K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、BICMOS、16K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅

1993-05-13

现行

MIL DESC 5962-91594

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BICMOS, 8K X 8 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、BICMOS、8K X 8静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅

1994-06-28

现行

MIL DSCC 5962-96902F

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) 256K X 16-BIT (SUPERSEDING DSCC 5962-96902E)
微电路 混合 存储器 静态随机存取存储器（SRAM）256K X 16位（取代DSCC 5962-96902E）

2004-10-25

现行

MIL DSCC 5962-93187L

MICROCIRCUIT, HYBRID, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 32-BIT(SUPERSEDING DSCC 5962-93187K)
微电路 混合 数字 静态随机存取存储器 CMOS 128K X 32位（取代DSCC 5962-93187K）

2007-04-16

现行

MIL DSCC 5962-92078H

MICORCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 512K X 8-BIT (SUPERSEDING DSCC 5962-92078G)
微电路 混合 存储器 数字 静态随机存取存储器 CMOS 512K X 8位（取代DSCC 5962-92078G）

2001-04-09

现行

MIL DSCC 5962-96795C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, 256K X 16 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-96795B)
单片硅256K X 16静态随机存取存储器（SRAM）数字存储器微电路（取代DSCC 5962-96795B）

2004-10-27

现行

MIL DSCC 5962-95600H

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, 512K X 8 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-95600G)
单片硅512K X 8静态随机存取存储器（SRAM）数字存储器微电路（取代DSCC 5962-95600G）

2004-05-25

现行

MIL DESC 5962-90696

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256 X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、带独立I/O的256 X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅

1993-03-04

现行

MIL DESC 5962-92172

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BICMOS, 16K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、BICMOS、16K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、独立I/O、单片硅

1993-05-20

现行

MIL DESC 5962-90622 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY MONOLITHIC SILICON
CMOS 4mx1动态随机存取存储器单片硅数字微电路

1995-10-30

现行

MIL DESC 5962-90622 Notice B-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY MONOLITHIC SILICON
CMOS 4mx1动态随机存取存储器单片硅数字微电路

1998-03-06

现行

MIL DESC 5962-90622 Notice C-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY MONOLITHIC SILICON
CMOS 4mx1动态随机存取存储器单片硅数字微电路

1998-07-20

现行

MIL DESC 5962-90622

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 4M X 1 DYNAMIC RANDOM ACCESS MEMORY MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 4M X 1动态随机存取存储器单片硅

1992-03-05

现行

MIL DESC 5962-91518

MICROCIIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, ECL, 1K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、ECL、1K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅

1993-03-19

现行

MIL MIL-M-38510/293A Amendment 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 262,144-BIT STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/293)
微型电路 存储器 数字 CMOS 262144位静态随机存取存储器（SRAM） 单片硅（取代MIL-M-38510/293）

1992-09-09