现行

MIL DSCC 5962-86705F

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 4 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-86705E)
微电路、存储器、数字、CMOS、4K X 4静态RAM、单片硅（取代DSCC 5962-86705E）

2006-01-30

现行

MIL DESC 5962-96694 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 4K X 1 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、辐射有序、CMOS/SOS、4K X 1静态RAM、单片硅

1996-06-10

现行

MIL DESC 5962-96694

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 4K X 1 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS/SOS、4K X 1静态RAM、单片硅

1996-04-11

现行

MIL DESC 5962-88611 Notice A-Revision

MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS 4K X 4 SRAM WITH SEPARATE I/O MONOLITHIC SILICON
带独立I/O单片硅的数字CMOS 4kx4sram微型电路

1991-12-09

现行

MIL DESC 5962-88611

MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS 4K X 4 SRAM WITH SEPARATE I/O MONOLITHIC SILICON
带独立I/O单片硅的数字CMOS 4K X 4 SRAM微电路

1988-12-07

现行

MIL DESC 5962-90696

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256 X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、带独立I/O的256 X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅

1993-03-04

现行

MIL DESC 5962-96695 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT MEMORY, DIGITAL RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 1K X 4 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路存储器 数字辐射有序 CMOS/SOS 1kx4静态RAM 单片硅

1996-06-10

现行

MIL DESC 5962-96695

MICROCIRCUIT MEMORY, DIGITAL RADIATION-HARDENED, CMOS/SOS, 1K X 4 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路存储器 数字抗辐射 CMOS/SOS 1K X 4静态RAM 单片硅

1996-04-11

现行

MIL DESC 5962-90664

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O AND TRANSPARENT WRITE, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 64K X 4静态随机存取存储器（SRAM） 具有独立I/O和透明写入 单片硅

1992-12-09

现行

MIL DSCC 5962-87513C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 1 AND 1K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-87513B)
微电路、存储器、数字、CMOS、4K X 1和1K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-87513B）

2006-08-16

现行

MIL DSCC 5962-88588B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, 1024 X 4 CMOS STATIC RAM WITH RESET, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-88588A)
微电路 存储器 数字 1024 X 4 CMOS静态RAM 带复位 单片硅（取代DSCC 5962-88588A）

2002-05-01

现行

MIL DSCC 5962-89692A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16K X 4 STATIC RAM (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-89692)
微电路、存储器、数字、CMOS、16K X 4静态RAM（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-89692）

2006-10-31

现行

MIL DESC 5962-92172

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BICMOS, 16K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、BICMOS、16K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、独立I/O、单片硅

1993-05-20

现行

MIL DESC 5962-90594

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 16 X 4 SRAM WITH SEPARATE I/O AND TRANSPARENT WRITE, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 16 X 4 SRAM 带独立I/O和透明写入 单片硅

1992-12-04

现行

MIL DESC 5962-93128A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256K X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-93128)
微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 1静态随机存取存储器（SRAM）、独立I/O、单片硅（取代DESC 5962-93128）

1993-08-31

现行

MIL DSCC 5962-92316D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 1MEG X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-92316C)
微电路、存储器、数字、CMOS、带独立I/O的1MEG X 1静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DSCC 5962-92316C）

2006-05-31