MIL DESC 5962-88611 Notice A-Revision-带独立I/O单片硅的数字CMOS 4kx4sram微型电路-国家数字标准馆

现行 MIL DESC 5962-88611 Notice A-Revision

到馆提醒

收藏跟踪

购买正版

MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS 4K X 4 SRAM WITH SEPARATE I/O MONOLITHIC SILICON 带独立I/O单片硅的数字CMOS 4kx4sram微型电路

发布日期： 1991-12-09

分类信息

发布单位或类别：美国-美国军事规范和标准

关联关系

研制信息

相似标准/计划/法规

MIL DESC 5962-88611

MICROCIRCUITS, DIGITAL, CMOS 4K X 4 SRAM WITH SEPARATE I/O MONOLITHIC SILICON
带独立I/O单片硅的数字CMOS 4K X 4 SRAM微电路

MIL DESC 5962-89790

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 4 STATIC RAM WITH SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、带独立I/O的4K X 4静态RAM、单片硅

MIL DESC 5962-90594

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 16 X 4 SRAM WITH SEPARATE I/O AND TRANSPARENT WRITE, MONOLITHIC SILICON
微电路存储器数字 CMOS 16 X 4 SRAM 带独立I/O和透明写入单片硅

MIL DESC 5962-90696

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256 X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、带独立I/O的256 X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅

MIL DESC 5962-90664

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O AND TRANSPARENT WRITE, MONOLITHIC SILICON
微电路存储器数字 CMOS 64K X 4静态随机存取存储器（SRAM）具有独立I/O和透明写入单片硅

MIL DESC 5962-92172

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BICMOS, 16K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、BICMOS、16K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、独立I/O、单片硅

MIL DSCC 5962-89935A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 4 SRAM WITH SEPRATE I/O, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-89935)
微电路存储器数字 CMOS 64K X 4 SRAM 带SEPRATE I/O 单片硅（取代DESC 5962-89935）

MIL DESC 5962-93128A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256K X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-93128)
微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 1静态随机存取存储器（SRAM）、独立I/O、单片硅（取代DESC 5962-93128）

MIL DSCC 5962-92316D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 1MEG X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) WITH SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-92316C)
微电路、存储器、数字、CMOS、带独立I/O的1MEG X 1静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DSCC 5962-92316C）

MIL DESC 5962-87513B

MICROCIRCUIT, DIGITAL, 4K X 1 AND 1K X 4, CMOS SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-87513A)(S/S BY DSCC 5962-87513C)
数字微电路 4K X 1和1K X 4 CMOS SRAM 单片硅（取代DESC 5962-87513A）（由DSCC 5962-87513C提供）

MIL DSCC 5962-87513C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 1 AND 1K X 4 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-87513B)
微电路、存储器、数字、CMOS、4K X 1和1K X 4静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（取代DESC 5962-87513B）

《国家标准化发展纲要》提出建设国家数字标准馆，推动标准化工作向数字化、网络化、智能化转型。中国标准化研究院正在全力推进国家数字标准馆建设，力争在2026年底建成“一个中心”和“一个平台”，即全球领先的标准数据资源中心，涵盖标准全生命周期的数字化、网络化、智能化研究与服务平台。

专题数据库

标准管理系统

大数据分析系统

标准智能研制系统