GB/T 34481-2017-低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法-国家数字标准馆

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低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法 Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices

发布日期： 2017-10-14

实施日期： 2018-07-01

本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。本标准适用于测试位错密度小于1000个/cm2、直径为75mmr～150mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准

CCS分类： H25冶金 - 金属理化性能试验方法 - 金属化学性能试验方法

ICS分类： 77.040冶金 - 金属材料试验

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所

起草人：惠峰、普世坤、董汝昆

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