SJ/T 11489-2015-低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法-国家数字标准馆

现行 SJ/T 11489-2015

到馆阅读

收藏跟踪

购买正版

低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法 Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density indium phosphide wafers

发布日期： 2015-04-30

实施日期： 2015-10-01

分类信息

发布单位或类别：中国-行业标准-电子

CCS分类： H83冶金 - 半金属与半导体材料 - 化合物半导体材料

ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：信息产业专用材料质量监督检验中心、工业和信息化部电子工业标准化研究院、苏州晶瑞化学有限公司

起草人：章安辉、何秀坤、刘兵

相似标准/计划/法规

SJ/T 11490-2015

低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density gallium arsenide wafers

GB/T 34481-2017

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法
Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices

《国家标准化发展纲要》提出建设国家数字标准馆，推动标准化工作向数字化、网络化、智能化转型。中国标准化研究院正在全力推进国家数字标准馆建设，力争在2026年底建成“一个中心”和“一个平台”，即全球领先的标准数据资源中心，涵盖标准全生命周期的数字化、网络化、智能化研究与服务平台。

专题数据库

标准管理系统

大数据分析系统

标准智能研制系统