20213172-T-339-半导体器件金属化空洞应力试验-国家标准馆·国家数字标准馆

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半导体器件金属化空洞应力试验 Semiconductor devices – Metallization stress void test

下达日期： 2021-08-24

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准计划

CCS分类： L00电子元器件与信息技术 - 电子元器件与信息技术综合 - 标准化、质量管理

ICS分类： 31.080.01半导体分立器件 - 半导体器分立件综合

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体器件标准化技术委员会

起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、广州天极电子科技股份有限公司、中国核电工程有限公司河北分公司、广东科信电子有限公司、河北新华北集成电路有限公司、工业和信息化部电子第五研究所、中山奥士森电子有限公司、深圳市微特精密科技股份有限公司

起草人：裴选、席善斌、杨俊锋、侯继儒、卫云、高东阳、尹丽晶、吴亚光、赵昱、柯佳键、任怀龙、肖庆中、龙秀才、程志勇、曲韩宾、高博

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