反向阻断三极晶闸管测试方法
Testing methods for reverse-blocking triode thyristors

2013-04-25

Тиристоры триодные. Метод измерения времени выключения
三极晶闸管测量关断时间的方法

SEMICONDUCTOR DEVICE, TRIODE THYRISTOR (BI-DIRECTIONAL), SILICON, TYPES 2N5806 THROUGH 2N5809
半导体器件 三极晶闸管（双向） 硅 2N5806-2N5809型

1970-08-20

SEMICONDUCTOR DEVICE, TRIODE THYRISTOR (BI-DIRECTIONAL), SILICON, TYPES 2N5806 THROUGH 2N5809
半导体器件 三极晶闸管（双向） 硅 2N5806至2N5809型

2004-03-24

SEMICONDUCTOR DEVICE, TRIODE THYRISTOR (BI-DIRECTIONAL), SILICON, TYPES 2N5806 THROUGH 2N5809
半导体器件 三极晶闸管（双向） 硅 2N5806至2N5809型

1988-08-24

SEMICONDUCTOR DEVICE, TRIODE THYRISTOR (BI-DIRECTIONAL), SILICON, TYPES 2N5806 THROUGH 2N5809
半导体器件 三极晶闸管（双向） 硅 2N5806至2N5809型

1999-06-07

Тиристоры триодные. Метод измерения времени включения, нарастания и задержки
三极晶闸管测量开启 上升和延迟时间的方法

SEMICONDUCTOR DEVICE, TRIODE THYRISTOR (BI-DIRECTIONAL), SILICON, TYPES 2N5806 THROUGH 2N5809
半导体器件 三极晶闸管（双向） 硅 类型2N5806通过2N5809

1976-01-15

半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范
Semiconductor devices Discret devices Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A

2005-03-23

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제2절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 양방향 3극 사이리스터(트라이액)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제2절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 양방향 3극 사이리스터(트라이액)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A及以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Bidirectional triode thyristors (triacs), ambient or case-rated, up to 100 A
电子元件质量评定协调体系规范 半导体分立器件 空白详细规范 双向三极晶闸管（TRIAC） 环境或外壳额定 高达100 A

1992-01-31

Тиристоры триодные. Метод измерения отпирающего постоянного и импульсного тока управления и отпирающего постоянного и импульсного напряжения управления
三极晶闸管测量触发直接和峰值栅极电流并触发直接和峰值栅极电压的方法