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现行 MIL MIL-M-38510/174B Notice 2-Validation
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Microcircuits, Digital, CMOS, Inverter, NAND Buffer Driver, Strobed Hex Inverter/Buffer, Voltage Level Shifter, Monolithic Silicon, Positive Logic 微电路 数字 CMOS 反相器 NAND缓冲驱动器 选通十六进制反相器/缓冲器 电压电平移位器 单片硅 正逻辑
发布日期： 2016-05-10
本规范涵盖了单片硅、CMOS、逻辑微电路的详细要求。提供了两种产品保证等级和外壳轮廓、铅饰面和辐射硬度保证（RHA）的选择，并反映在完整的零件或识别号（PIN）中。对于该产品，MIL-M-38510的要求已被MIL-PRF-38535取代（见6.3）。
This specification covers the detail requirements for monolithic silicon, CMOS, logic microcircuits. Two product assurance classes and a choice of case outlines, lead finishes, and radiation hardness assurance (RHA) are provided and are reflected in the complete Part or Identifying Number (PIN). For this product, the requirements of MIL-M-38510 have been superseded by MIL-PRF-38535 (see 6.3).
分类信息
发布单位或类别： 美国-美国军事规范和标准
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研制信息
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2011-07-20
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MIL MIL-M-38510/174B
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2004-07-08
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1998-01-29
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MIL DESC 5962-96616
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1996-12-06
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2005-01-26
现行
MIL MIL-M-38510/174A Notice 1-Inactivation
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微电路 数字 CMOS 反相器 NAND缓冲驱动器 选通十六进制反相器/缓冲器 电压电平移位器单片 硅 正逻辑（取代MIL-M-38510/174）（S/S BY MIL-M-38510/174B）
1996-08-09
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MIL DSCC 5962-96644C
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, DUAL 2-INPUT NAND BUFFER/DRIVER, MONOLITHIC SILICON
微电路、数字、抗辐射CMOS、双2输入NAND缓冲/驱动器、单片硅
2003-07-02
现行
MIL DESC 5962-93188 Notice B-Revision
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1995-11-22
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1994-05-02
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1996-05-07
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1994-02-04
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1997-10-30
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微电路 数字 快速CMOS 带串联电阻器和三态输出的16位反相缓冲器/线驱动器 兼容TTL
1996-11-08
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1993-08-11
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2004-05-28
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