SJ 50033/106-1996-半导体分立器件CS203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范-国家数字标准馆

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半导体分立器件CS203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管详细规范 Semiconductor discrete device Detail specification for Type CS203 GaAs microwave Low noise field effect transistor

发布日期： 1996-08-30

实施日期： 1997-01-01

1.1主题内容
本规范规定了CS203型砷化镓微波低噪声场效应晶体管(以下简称器件)的详细要求。
1.2适用范围
本规范适用于器件的研制、生产和采购。
1.3分类
本规范根据器件质量保证等级进行分类。
1.3.1器件的等级
按GJB33-85(半导体分立器件总规范)1.3条的规定，提供的质量保证等级为普军级、特军级和超特军级。分别用字母GP、GT和GCT表示

分类信息

发布单位或类别：中国-行业标准-电子

CCS分类： L42电子元器件与信息技术 - 半导体分立器件 - 半导体三极管

关联关系

研制信息

归口单位：中国电子技术标准化研究所

起草单位：电子工业部第五十五研究所

起草人：黄玉英、龚朝阳

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