现行

MIL DESC 5962-91568 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅

1993-09-20

现行

MIL DESC 5962-91568

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅

1992-11-19

现行

MIL DSCC 5962-88670D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE, PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-88670C)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程、可编程阵列逻辑、单片硅（取代DSCC 5962-88670C）

2006-08-18

现行

MIL DSCC 5962-91546B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-91546A)
微电路、存储器、数字、CMOS一次性可编程逻辑阵列、单片硅（取代DESC 5962-91546A）

2007-01-29

现行

MIL DESC 5962-94712 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY DIGITAL, CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、数字存储器、CMOS、可编程逻辑阵列、单片硅

1995-06-16

现行

MIL DESC 5962-94712 Notice B-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY DIGITAL, CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、数字存储器、CMOS、可编程逻辑阵列、单片硅

1996-10-04

现行

MIL DESC 5962-94712

MICROCIRCUIT, MEMORY DIGITAL, CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、数字存储器、CMOS、可编程逻辑阵列、单片硅

1994-10-18

现行

MIL DSCC 5962-94524A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON=20(SUPERSEDING DESC 5962-94524)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅=20（取代DESC 5962-94524）

2007-03-22

现行

MIL DESC 5962-94524

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-94524A)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅（S/S由DSCC 5962-94524A提供）

1994-01-21

现行

MIL DESC 5962-95612 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC CELL ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字CMOS、可编程逻辑单元阵列、单片硅

1996-10-04

现行

MIL DESC 5962-95610 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC CELL ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字CMOS、可编程逻辑单元阵列、单片硅

1996-10-04

现行

MIL DESC 5962-95611 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC CELL ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字CMOS、可编程逻辑单元阵列、单片硅

1996-10-04

现行

MIL DESC 5962-95610

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC CELL ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字CMOS 可编程逻辑单元阵列 单片硅

1996-03-12

现行

MIL DESC 5962-95611

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC CELL ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字CMOS 可编程逻辑单元阵列 单片硅

1996-03-12

现行

MIL DESC 5962-95612

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL CMOS, PROGRAMMABLE LOGIC CELL ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字CMOS 可编程逻辑单元阵列 单片硅

1996-03-12

现行

MIL MIL-M-38510/508 Amendment 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/508A)
微型电路 存储器 数字 CMOS一次性可编程阵列逻辑 单片硅（S/S BY MIL-M-38510/508A）

1992-02-20

现行

MIL MIL-M-38510/508 Notice 1-Inactivation

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/508A)
微型电路 存储器 数字 CMOS一次性可编程阵列逻辑 单片硅（S/S BY MIL-M-38510/508A）

1995-07-28

现行

MIL MIL-M-38510/508 Notice 2-Validation

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/508A)
微型电路 存储器 数字 CMOS一次性可编程阵列逻辑 单片硅（S/S BY MIL-M-38510/508A）

2001-05-22

现行

MIL DSCC 5962-94754E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, (RAD-HARD), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-94754D)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列（RAD-HARD）、单片硅（取代DSCC 5962-94754D）

2004-09-09

现行

MIL DSCC 5962-98511

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 62000 GATE PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、62000门可编程逻辑阵列、单片硅

1998-11-23