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现行 MIL MIL-PRF-19500/516F Amendment 1(amendment incorporated)
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Semiconductor Device, Diode Silicon, Bipolar Transient Voltage Suppressor, Encapsulated (Axial Lead Through-Hole and Surface Mount Packages) and Un-Encapsulated (Die), Types 1N6102 Through 1N6173, JAN, JANTX, JANTXV, JANS, JANHC, and JANKC 半导体器件 二极管硅 双极瞬态电压抑制器 封装（轴向引线通孔和表面安装封装）和未封装（管芯） 1N6102至1N6173型 JAN、JANTX、JANTSV、JANS、JANHC和JANKC
发布日期： 2013-09-12
本规范涵盖了双极型500瓦和1500瓦峰值脉冲功率瞬态电压抑制器二极管的性能要求。为每个封装设备提供四个级别的产品保证（JAN、JANTX、JANTSV和JANS）。为每个未封装设备（模具）提供两个级别的产品保证（JANHC和JANKC）。这些设备具有10%的电压公差（无“a”后缀）。后缀“A”表示5%的电压公差。
This specification covers the performance requirements for bipolar 500 watt and 1,500 watt peak pulse power transient voltage suppressor diodes. Four levels of product assurance (JAN, JANTX, JANTXV, and JANS) are provided for each encapsulated device. Two levels of product assurance (JANHC and JANKC) are provided for each unencapsulated device (die). These devices have a ten percent voltage tolerance (no "A" suffix). The suffix "A" denotes a five percent voltage tolerance.
分类信息
发布单位或类别： 美国-美国军事规范和标准
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研制信息
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SEMICONDUCTOR DEVICE, DIODE, SILICON, BIPOLAR TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR TYPES 1N6036A THROUGH 1N6072A JAN, JANTX, JANTXV, AND JANS (SUPERSEDING MIL-S-19500/507A) (S/S BY MIL-PRF-19500/507C)
半导体器件、二极管、硅、双极瞬态电压抑制器类型1N6036A至1N6072A JAN、JANTX、JANTXV和JANS（取代MIL-S-19500/507A）（S/S由MIL-PRF-19500/507C代替）
1995-01-05
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半导体器件 二极管硅 双极瞬态电压抑制器 类型1N6102至1N6137 1N6102A-1N6137A 1N6138-1N6173 1n6118a-1N6173A 1n610 2us-1N6137US 1n612aus-1n6137bus（替代MIL-S-19500/516C）
2005-03-28
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SEMICONDUCTOR DEVICE, DIODE SILICON, BIPOLAR TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR, TYPES 1N6102 THROUGH 1N6137, 1N6102A - 1N6137A, 1N6138 - 1N6173, 1N6138A - 1N6173A, 1N6102US - 1N6137US, 1N6102AUS - 1N6137AUS (SUPERSEDING MIL-S-19500/516C)
半导体器件 二极管硅 双极瞬态电压抑制器 类型1N6102至1N6137 1N6102A-1N6137A 1N6138-1N6173 1n6118a-1N6173A 1n610 2us-1N6137US 1n612aus-1n6137bus（替代MIL-S-19500/516C）
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2017-12-04
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