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MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, QUAD EXCLUSIVE OR GATE MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-96646) 微电路 数字 抗辐射CMOS 四异或门单片硅(取代DESC 5962-96646)
发布日期: 2003-07-02
分类信息
发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
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研制信息
相似标准/计划/法规
现行
MIL DESC 5962-96627
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1995-09-15
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1998-11-11
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MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, QUAD 2-INPUT EXCLUSIVE OR GATE, TTL COMPATIBLE INPUTS, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-95660)
微电路、数字、抗辐射、高级CMOS、四路2输入异或门、TTL兼容输入、单片硅(取代DESC 5962-95660)
2000-08-10
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2000-08-23
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1995-12-27
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MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, QUAD 2-INPUT NAND GATE, TTL COMPATIBLE INPUTS, MONOLITHIC SILICON
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1997-10-22
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MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, QUAD 2-INPUT NAND GATE, TTL COMPATIBLE INPUTS, MONOLITHIC SILICON
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MIL DESC 5962-96638 Notice B-Revision
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, 8 INPUT NOR/OR GATE, MONOLITHIC SILICON
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MIL DESC 5962-96638 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, 8 INPUT NOR/OR GATE, MONOLITHIC SILICON
数字微电路 辐射硬化CMOS 8输入NOR/或栅极 单片硅
1997-02-28