MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 3.3 V, 32K X 8-BIT, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 抗辐射 3.3V 32K X 8位 单片硅

2001-10-29

MICROCIRCUIT,MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 32-BIT, RADIATION-HARDENED SRAM, MULTICHIP MODULE (SUPERSEDING DSCC 5962-01511C)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 32位、抗辐射SRAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-01511C）

2003-06-30

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 32-BIT (16M), RADIATION-HARDENED, DUAL VOLTAGE SRAM, MULTICHIP MODULE(SUPERSEDING DSCC 5962-04227A)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 32位（16M）、抗辐射、双电压SRAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-04227A）

2005-11-29

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 3.3 V, 32K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-01517B)
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、3.3 V、32K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-01517B）

2006-06-06

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 3.3 V, 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-01516A)
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、3.3V、8K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-01516A）

2007-02-07