MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, 512K X 32-BIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS
微电路 混合 存储器 数字 512K X 32位 静态随机存取存储器 CMOS

2006-02-06

MICROCIRCUIT,MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 32-BIT, RADIATION-HARDENED SRAM, MULTICHIP MODULE (SUPERSEDING DSCC 5962-01511C)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 32位、抗辐射SRAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-01511C）

2003-06-30

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, 512K X 32-BIT, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS (SUPERSEDING DSCC 5962-94611P)
微电路 混合 存储器 数字 512K X 32位 静态随机存取存储器 CMOS（取代DSCC 5962-94611P）

2004-05-03

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 32-BIT, 3.3 V, RADIATION-HARDENED SRAM, MULTICHIP MODULE (SUPERSEDING DSCC 5962-01533A)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 32位、3.3 V、抗辐射SRAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-01533A）

2003-06-30

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT (4M), RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位（4M）、抗辐射、低压SRAM、单片硅

2007-02-16

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT, RADIATION-HARDENED SRAM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-00536E)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位、抗辐射SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-00536E）

2007-04-11

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMO, 512K X 8-BIT (4M), RADIATION-HARDENED SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-03235)
微电路、存储器、数字、CMO、512K X 8位（4M）、抗辐射SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-03235）

2004-11-08

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT, RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-99607F)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位、抗辐射、低压SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-99607F）

2002-12-08

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16 MBIT (512K X 32), RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MULTICHIP MODULE(SUPERSEDING DSCC 5962-06229)
微电路、存储器、数字、CMOS、16Mbit（512K X 32）、抗辐射、低压SRAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-06229）

2006-07-12

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 128K X 32-BIT (4M), RADIATION-HARDENED SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-03236A)
微电路、存储器、数字、CMOS、128K X 32位（4M）、抗辐射SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-03236A）

2004-11-08