MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 32-BIT (SUPERSEDING DSCC 5962-95595M)
微电路 混合 存储器 数字 静态随机存取存储器 CMOS 128K X 32位（取代DSCC 5962-95595M）

2004-01-07

MICROCIRCUIT, HYBRID, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 32-BIT(SUPERSEDING DSCC 5962-93187K)
微电路 混合 数字 静态随机存取存储器 CMOS 128K X 32位（取代DSCC 5962-93187K）

2007-04-16

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT (4M), RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位（4M）、抗辐射、低压SRAM、单片硅

2007-02-16

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMO, 512K X 8-BIT (4M), RADIATION-HARDENED SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-03235)
微电路、存储器、数字、CMO、512K X 8位（4M）、抗辐射SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-03235）

2004-11-08

MICROCIRCUIT,MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 32-BIT, RADIATION-HARDENED SRAM, MULTICHIP MODULE (SUPERSEDING DSCC 5962-01511C)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 32位、抗辐射SRAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-01511C）

2003-06-30

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 32-BIT, 3.3 V, RADIATION-HARDENED SRAM, MULTICHIP MODULE (SUPERSEDING DSCC 5962-01533A)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 32位、3.3 V、抗辐射SRAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-01533A）

2003-06-30

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 32-BIT (16M), RADIATION-HARDENED, DUAL VOLTAGE SRAM, MULTICHIP MODULE(SUPERSEDING DSCC 5962-04227A)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 32位（16M）、抗辐射、双电压SRAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-04227A）

2005-11-29