现行

MIL DSCC 5962-07210

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT (4M), RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位（4M）、抗辐射、低压SRAM、单片硅

2007-02-16

现行

MIL DSCC 5962-00536F

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT, RADIATION-HARDENED SRAM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-00536E)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位、抗辐射SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-00536E）

2007-04-11

现行

MIL DESC 5962-93244

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 512K X 8 BIT 5-VOLT PROGRAMMING EEPROM, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 512K X 8位5伏编程EEPROM 单片硅

1993-12-08

现行

MIL DSCC 5962-91752A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 512K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-91752)
微电路、存储器、数字、CMOS 512K X 8位UVEPROM、单片硅（取代DESC 5962-91752）

2001-03-09

现行

MIL DSCC 5962-06203

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS/SOI, 512K X 8-BIT, RADIATIONHARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS/SOI、512K X 8位、抗辐射、低压SRAM、单片硅

2006-07-18

现行

MIL DSCC 5962-99607G

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT, RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-99607F)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位、抗辐射、低压SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-99607F）

2002-12-08

现行

MIL DESC 5962-96873

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、8K X 8位PROM、单片硅

1996-10-02

现行

MIL DSCC 5962-01511D

MICROCIRCUIT,MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 32-BIT, RADIATION-HARDENED SRAM, MULTICHIP MODULE (SUPERSEDING DSCC 5962-01511C)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 32位、抗辐射SRAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-01511C）

2003-06-30

现行

MIL DSCC 5962-03236B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 128K X 32-BIT (4M), RADIATION-HARDENED SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-03236A)
微电路、存储器、数字、CMOS、128K X 32位（4M）、抗辐射SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-03236A）

2004-11-08

现行

MIL DSCC 5962-02502

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 3.3 V, 32K X 8-BIT, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 抗辐射 3.3V 32K X 8位 单片硅

2001-10-29

现行

MIL DSCC 5962-05208B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT, RADIATIONHARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-05208A)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位、抗辐射、低压SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-05208A）

2006-01-17

现行

MIL DESC 5962-97517

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION - HARDENED, 32K X 8-BIT MASK PROGRAMMABLE ROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、32K X 8位掩模可编程ROM、单片硅

1997-05-30

现行

MIL DESC 5962-97544

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION- HARDENED, 8K X 8-BIT MASK PROGRAMMABLE ROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、8K X 8位掩模可编程ROM、单片硅

1997-10-16

现行

MIL DSCC 5962-01533B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 32-BIT, 3.3 V, RADIATION-HARDENED SRAM, MULTICHIP MODULE (SUPERSEDING DSCC 5962-01533A)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 32位、3.3 V、抗辐射SRAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-01533A）

2003-06-30

现行

MIL DSCC 5962-04227B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 32-BIT (16M), RADIATION-HARDENED, DUAL VOLTAGE SRAM, MULTICHIP MODULE(SUPERSEDING DSCC 5962-04227A)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 32位（16M）、抗辐射、双电压SRAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-04227A）

2005-11-29

现行

MIL DSCC 5962-99606F

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512 X 8-BIT, RADIATION-HARDENED SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-99606E)
微电路、存储器、数字、CMOS、512 X 8位、抗辐射SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-99606E）

2002-05-28

现行

MIL DSCC 5962-95708D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, 2K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-95708C)
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS、2K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-95708C）

1999-06-11

现行

MIL DSCC 5962-95626E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-95626D)
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS、8K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-95626D）

2004-02-12

现行

MIL DSCC 5962-99541A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED CMOS, 256K X 8-BIT STATIC RAM, MULTICHIP MODULE(SUPERSEDING DSCC 5962-99541)
微电路、存储器、数字、抗辐射CMOS、256K X 8位静态RAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-99541）

2005-12-21

现行

MIL DSCC 5962-01517C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 3.3 V, 32K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-01517B)
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、3.3 V、32K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-01517B）

2006-06-06