现行

MIL DESC 5962-96873

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、8K X 8位PROM、单片硅

1996-10-02

现行

MIL DSCC 5962-02502

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 3.3 V, 32K X 8-BIT, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 抗辐射 3.3V 32K X 8位 单片硅

2001-10-29

现行

MIL DESC 5962-97517

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION - HARDENED, 32K X 8-BIT MASK PROGRAMMABLE ROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、32K X 8位掩模可编程ROM、单片硅

1997-05-30

现行

MIL DESC 5962-97544

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION- HARDENED, 8K X 8-BIT MASK PROGRAMMABLE ROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、8K X 8位掩模可编程ROM、单片硅

1997-10-16

现行

MIL DSCC 5962-07210

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT (4M), RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位（4M）、抗辐射、低压SRAM、单片硅

2007-02-16

现行

MIL DESC 5962-96766 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS, 256 X 8 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、辐射有序、CMOS、256 X 8静态RAM、单片硅

1996-06-27

现行

MIL DESC 5962-96766

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS, 256 X 8 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 抗辐射 CMOS 256 X 8静态RAM 单片硅

1996-04-16

现行

MIL DSCC 5962-99606F

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512 X 8-BIT, RADIATION-HARDENED SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-99606E)
微电路、存储器、数字、CMOS、512 X 8位、抗辐射SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-99606E）

2002-05-28

现行

MIL DSCC 5962-95626E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-95626D)
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS、8K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-95626D）

2004-02-12

现行

MIL DSCC 5962-00536F

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT, RADIATION-HARDENED SRAM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-00536E)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位、抗辐射SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-00536E）

2007-04-11

现行

MIL DSCC 5962-99541A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED CMOS, 256K X 8-BIT STATIC RAM, MULTICHIP MODULE(SUPERSEDING DSCC 5962-99541)
微电路、存储器、数字、抗辐射CMOS、256K X 8位静态RAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-99541）

2005-12-21

现行

MIL DSCC 5962-03235A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMO, 512K X 8-BIT (4M), RADIATION-HARDENED SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-03235)
微电路、存储器、数字、CMO、512K X 8位（4M）、抗辐射SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-03235）

2004-11-08

现行

MIL DSCC 5962-01517C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 3.3 V, 32K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-01517B)
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、3.3 V、32K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-01517B）

2006-06-06

现行

MIL DSCC 5962-01516B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 3.3 V, 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-01516A)
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、3.3V、8K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-01516A）

2007-02-07

现行

MIL DSCC 5962-99607G

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT, RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-99607F)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位、抗辐射、低压SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-99607F）

2002-12-08

现行

MIL DSCC 5962-01532B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 1024K X 8-BIT, (8 M) RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MULTICHIP MODULE (SUPERSEDING DSCC 5962-01532A)
微电路 存储器 数字 CMOS 1024K X 8位 （8米）抗辐射 低压SRAM 多芯片模块（取代DSCC 5962-01532A）

2003-02-21

现行

MIL DSCC 5962-88734C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2K X 8-BIT, ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-88734B)
微电路、存储器、数字、CMOS、2K X 8位、一次性可编程（OTP）PROM、单片硅（取代DSCC 5962-88734B）

2006-06-12

现行

MIL DSCC 5962-98644A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, SOI, RADIATION- HARDENED, 32K X 8-BIT MASK PROGRAMMABLE ROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-98644)
微电路、存储器、数字、CMOS、SOI、抗辐射、32K X 8位掩模可编程ROM、单片硅（取代DSCC 5962-98644）

2006-01-13

现行

MIL DSCC 5962-01511D

MICROCIRCUIT,MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 32-BIT, RADIATION-HARDENED SRAM, MULTICHIP MODULE (SUPERSEDING DSCC 5962-01511C)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 32位、抗辐射SRAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-01511C）

2003-06-30

现行

MIL DSCC 5962-88735E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2K X 8 BIT, ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) REGISTERED PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-88735D)
微电路、存储器、数字、CMOS、2K X 8位、一次性可编程（OTP）注册PROM、单片硅（取代DSCC 5962-88735D）

2006-06-06