首页 馆藏资源 舆情信息 标准服务 科研活动 关于我们
现行 MIL DESC 5962-93247
到馆提醒
收藏跟踪
购买正版
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON 微电路、存储器、数字、CMOS电可擦除可编程逻辑阵列、单片硅
发布日期: 1995-02-07
分类信息
发布单位或类别: 美国-美国军事规范和标准
关联关系
研制信息
相似标准/计划/法规
现行
MIL DESC 5962-93168 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS电可擦除可编程逻辑阵列、单片硅
1995-02-03
现行
MIL DESC 5962-93247 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS电可擦除可编程逻辑阵列、单片硅
1995-05-30
现行
MIL DESC 5962-93168
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS电可擦除可编程逻辑阵列、单片硅
1994-09-08
现行
MIL DESC 5962-92121
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、电可擦除可编程逻辑器件、单片硅
1992-11-24
现行
MIL DESC 5962-88548 Notice A-Revision
MICROCIRCUITS,MEMORY,DIGITAL,CMOS UV ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE,MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS紫外线可擦除可编程逻辑器件 单片硅
1992-09-11
现行
MIL DESC 5962-89469 Notice A-Revision
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS UV ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON
微型计算机 存储器 数字 CMOS可擦除可编程逻辑器件 单片硅
1993-05-12
现行
MIL DESC 5962-93248
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS UV ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS紫外可擦除可编程逻辑阵列 单片硅
1993-10-22
现行
MIL DESC 5962-90799
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, UV ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、紫外线可擦除可编程逻辑器件、单片硅
1994-01-21
现行
MIL DESC 5962-88548
MICROCIRCUITS,MEMORY,DIGITAL,CMOS UV ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE,MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS紫外可擦除可编程逻辑器件、单片硅
1989-05-19
现行
MIL DESC 5962-89469
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS UV ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS紫外可擦除可编程逻辑器件 单片硅
1993-03-25
现行
MIL DESC 5962-91772
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS UV ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS紫外可擦除可编程逻辑阵列、单片硅
1993-02-01
现行
MIL DESC 5962-89476
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, UV ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、紫外线可擦除可编程逻辑器件、单片硅
1992-11-17
现行
MIL DESC 5962-91584
MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, UV ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、紫外线可擦除可编程逻辑阵列、单片硅
1992-10-20
现行
MIL MIL-M-38510/261 Notice 1-Inactivation 1
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器(EEPROM) 单片硅
1995-07-24
现行
MIL MIL-M-38510/261 Notice 3-Validation 2
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器(EEPROM) 单片硅
2006-02-06
现行
MIL MIL-M-38510/260 Notice 3-Validation 2
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器(EEPROM)单片硅
2006-02-06
现行
MIL MIL-M-38510/261 Notice 2-Validation 1
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器(EEPROM) 单片硅
2001-05-01
现行
MIL MIL-M-38510/260 Notice 2-Validation 1
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器(EEPROM)单片硅
2001-05-01
现行
MIL MIL-M-38510/260
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 8K X 8位、电可擦除、可编程只读存储器(EEPROM)单片硅
1989-01-06
现行
MIL MIL-M-38510/261
MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 32K X 8位、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、单片硅
1989-03-27