现行

MIL MIL-M-38510/260 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/260

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 8K X 8位、电可擦除、可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

1989-01-06

现行

MIL MIL-M-38510/228 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, DIGITAL, NMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
数字微电路 NMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2006-01-31

现行

MIL MIL-M-38510/228 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, DIGITAL, NMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
数字微电路 NMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2001-04-26

现行

MIL MIL-M-38510/228

MICROCIRCUITS, DIGITAL, NMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 NMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

1987-09-22

现行

MIL DESC 5962-96873

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、8K X 8位PROM、单片硅

1996-10-02

现行

MIL DESC 5962-91624

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS POWER SWITCHED 8K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS功率开关8K X 8位UVEPROM、单片硅

1993-05-14

现行

MIL DSCC 78016G

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 8K X 8 UV ERASABLE PROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 78016F)
微电路、存储器、数字、CMOS、8K X 8紫外线可擦除可编程只读存储器、单片硅（取代DSCC 78016F）

2005-03-01

现行

MIL DSCC 85102E

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 8K X 8 UV ERASABLE PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 85102D)
微电路、存储器、数字、CMOS、8K X 8紫外线可擦除可编程只读存储器、单片硅（取代DSCC 85102D）

2005-03-28

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 1-Inactivation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

1995-07-24

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2001-05-01

现行

MIL MIL-M-38510/261

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 32K X 8位、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、单片硅

1989-03-27

现行

MIL DSCC 5962-90803C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-90803B)
微电路、存储器、数字、CMOS 8K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-90803B）

2007-06-11

现行

MIL DESC 5962-97544

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION- HARDENED, 8K X 8-BIT MASK PROGRAMMABLE ROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、8K X 8位掩模可编程ROM、单片硅

1997-10-16

现行

MIL DSCC 5962-87514E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 8K X 8-BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-87514C)
微电路、存储器、数字、CMOS、8K X 8位EEPROM、单片硅（取代DSCC 5962-87514C）

2004-06-04

现行

MIL DSCC 5962-89967A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, REGISTERED 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-89967)
微电路、存储器、数字、CMOS、注册8K X 8位PROM、单片硅（取代DESC 5962-89967）

2007-02-21

现行

MIL DSCC 5962-89484A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS REGISTERED 8K X 8- BIT UVEPROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-89484)
微电路 存储器 数字 CMOS注册8K X 8位UVEPROM 单片硅（取代DESC 5962-89484）

2007-02-15

现行

MIL DSCC 5962-87650E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2K X 8 UV ERASABLE PROM,MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、2K X 8紫外线可擦除PROM、单片硅

2002-12-16

现行

MIL DSCC 5962-95626E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, 8K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-95626D)
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS、8K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-95626D）

2004-02-12