MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 8K X 8 UV ERASABLE PROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 78016F)
微电路、存储器、数字、CMOS、8K X 8紫外线可擦除可编程只读存储器、单片硅（取代DSCC 78016F）

2005-03-01

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 8K X 8 UV ERASABLE PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 85102D)
微电路、存储器、数字、CMOS、8K X 8紫外线可擦除可编程只读存储器、单片硅（取代DSCC 85102D）

2005-03-28

MICROCIRCUIT, DIGITAL, NMOS, 2K X 8 UV ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (PROM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 78022M)
微电路 数字 NMOS 2K X 8紫外线可擦除可编程只读存储器（PROM） 单片硅（取代DSCC 7802M）

2005-03-02

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2K X 8 PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-89540B)
微电路、存储器、数字、CMOS、2K X 8 PROM、单片硅（取代DSCC 5962-89540B）

2007-02-27

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 262,144-BIT (32K X 8) UV ERASABLE PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-86063G)
微电路 存储器 数字 CMOS 262144位（32K X 8）紫外线可擦除可编程只读存储器 单片硅（取代DESC 5962-86063G）

2006-07-17

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, NMOS 4K X 8 UV ERASABLE PROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 80012G)
微电路、存储器、数字、NMOS 4K X 8紫外线可擦除可编程只读存储器、单片硅（取代DESC 80012G）

2005-02-05

MICROCIRCUIT, MEMORY DIGITAL, 262, 144-BIT (32K X 8) UV ERASEABLE PROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 84111D)
微电路 数字存储器 262 144位（32K X 8）紫外线可擦除可编程只读存储器 单片硅（取代DESC 84111D）

2004-11-08

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, 2K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-95708C)
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS、2K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-95708C）

1999-06-11

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2K X 8-BIT, ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-88734B)
微电路、存储器、数字、CMOS、2K X 8位、一次性可编程（OTP）PROM、单片硅（取代DSCC 5962-88734B）

2006-06-12

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2K X 8 BIT, ONE TIME PROGRAMMABLE (OTP) REGISTERED PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-88735D)
微电路、存储器、数字、CMOS、2K X 8位、一次性可编程（OTP）注册PROM、单片硅（取代DSCC 5962-88735D）

2006-06-06