现行

MIL DESC 5962-88662B Notice C-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 32K X 8 SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 32kx8sram 单片硅

1995-04-14

现行

MIL DSCC 5962-92153M

MICROCIRCUIT, DIGITAL, CMOS, 32K X 8 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-92153L)
微电路 数字 CMOS 32K X 8静态随机存取存储器（SRAM） 单片硅（取代DSCC 5962-92153L）

2006-08-01

现行

MIL DSCC 5962-88552F

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 32K X 8 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) LOW POWER MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-88552E)
微电路、存储器、数字、CMOS、32K X 8静态随机存取存储器（SRAM）低功耗单片硅（取代DSCC 5962-88552E）

2002-08-16

现行

MIL DESC 5962-93225

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 4 SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、64K X 4 SRAM、单片硅

1994-04-08

现行

MIL DSCC 5962-02502

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 3.3 V, 32K X 8-BIT, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 抗辐射 3.3V 32K X 8位 单片硅

2001-10-29

现行

MIL DSCC 5962-88634F

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 32K X 8 EEPROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-88634E)
微电路、存储器、数字、CMOS、32K X 8 EEPROM、单片硅（取代DSCC 5962-88634E）

2007-03-29

现行

MIL DSCC 5962-88525D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8 EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-88525B)
微电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8 EEPROM 单片硅（取代DESC 5962-88525B）

2005-04-15

现行

MIL DESC 5962-94588

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 32K X 9 FIFO WITH PROGRAMMABLE FLAGS, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 32K X 9 FIFO 带可编程标志 单片硅

1995-02-23

现行

MIL DESC 5962-97517

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION - HARDENED, 32K X 8-BIT MASK PROGRAMMABLE ROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、32K X 8位掩模可编程ROM、单片硅

1997-05-30

现行

MIL DSCC 5962-89817C

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 32K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-89817A)
微电路、存储器、数字、CMOS、32K X 8位UVEPROM、单片硅（取代DESC 5962-89817A）

2007-02-15

现行

MIL DESC 5962-92344

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BICMOS, 8K X 8 RESETTABLE SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、BICMOS、8K X 8可复位SRAM、单片硅

1993-12-16

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 1-Inactivation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

1995-07-24

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2001-05-01

现行

MIL MIL-M-38510/261

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 32K X 8位、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、单片硅

1989-03-27

现行

MIL DSCC 5962-96691D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, SRAM, 128K X 8-BIT, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-96691C)
微电路、存储器、数字、CMOS、SRAM、128K X 8位、单片硅（取代DSCC 5962-96691C）

2006-03-07

现行

MIL DSCC 5962-06203

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS/SOI, 512K X 8-BIT, RADIATIONHARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS/SOI、512K X 8位、抗辐射、低压SRAM、单片硅

2006-07-18

现行

MIL DSCC 5962-91744A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS REGISTERED 32K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-91744)
微电路 存储器 数字 CMOS注册32K X 8位UVEPROM 单片硅（取代DESC 5962-91744）

2001-03-07

现行

MIL DSCC 5962-92155A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, REGISTERED 32K X 8 - BIT PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-92155)
微电路、存储器、数字、CMOS、注册32K X 8位PROM、单片硅（取代DESC 5962-92155）

2006-08-09

现行

MIL DSCC 5962-96891D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATIONHARDENED, 32K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-96891C)
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、32K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-96891C）

2006-07-07