现行

MIL DSCC 5962-88525D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8 EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-88525B)
微电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8 EEPROM 单片硅（取代DESC 5962-88525B）

2005-04-15

现行

MIL DESC 5962-88662B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 32K X 8 SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、32K X 8 SRAM、单片硅

1993-02-17

现行

MIL DESC 5962-88662B Notice C-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 32K X 8 SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 32kx8sram 单片硅

1995-04-14

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 1-Inactivation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

1995-07-24

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2001-05-01

现行

MIL MIL-M-38510/261

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 32K X 8位、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、单片硅

1989-03-27

现行

MIL DESC 5962-88676

MICROCIRCUITS,MEMORY,DIGITAL,CMOS 2K X 8 EEPROM,MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 2K X 8 EEPROM、单片硅

1989-02-13

现行

MIL DESC 5962-87649

MICROCIRCUITS, DIGITAL, 32K X 8, NMOS EEPROM, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 32K X 8 NMOS EEPROM 单片硅

1988-01-19

现行

MIL DSCC 5962-02502

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION-HARDENED, 3.3 V, 32K X 8-BIT, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 抗辐射 3.3V 32K X 8位 单片硅

2001-10-29

现行

MIL DESC 5962-93244

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 512K X 8 BIT 5-VOLT PROGRAMMING EEPROM, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 512K X 8位5伏编程EEPROM 单片硅

1993-12-08

现行

MIL DESC 5962-97517

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION - HARDENED, 32K X 8-BIT MASK PROGRAMMABLE ROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、32K X 8位掩模可编程ROM、单片硅

1997-05-30

现行

MIL DSCC 5962-89817C

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 32K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-89817A)
微电路、存储器、数字、CMOS、32K X 8位UVEPROM、单片硅（取代DESC 5962-89817A）

2007-02-15

现行

MIL MIL-M-38510/260 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/260 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2001-05-01

现行

MIL MIL-M-38510/260

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 8K X 8位、电可擦除、可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

1989-01-06

现行

MIL DSCC 5962-38267H

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K X 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-38267G)
微电路 存储器 数字 CMOS 128K X 8位EEPROM 单片硅（取代DSCC 5962-38267G）

2006-05-15

现行

MIL DSCC 5962-87514E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 8K X 8-BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-87514C)
微电路、存储器、数字、CMOS、8K X 8位EEPROM、单片硅（取代DSCC 5962-87514C）

2004-06-04

现行

MIL DESC 5962-89667A

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2048 X 8 SERIAL EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-89667)
微电路、存储器、数字、CMOS、2048 X 8串行EEPROM、单片硅（取代DESC 5962-89667）

1994-01-31

现行

MIL DSCC 5962-93235A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 256K X 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-93235)
单片硅CMOS 256K X 8位EEPROM数字存储器微电路（取代DESC 5962-93235）

2005-02-28