现行

MIL DESC 5962-88676

MICROCIRCUITS,MEMORY,DIGITAL,CMOS 2K X 8 EEPROM,MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 2K X 8 EEPROM、单片硅

1989-02-13

现行

MIL DESC 5962-93244

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 512K X 8 BIT 5-VOLT PROGRAMMING EEPROM, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 512K X 8位5伏编程EEPROM 单片硅

1993-12-08

现行

MIL DSCC 5962-90912A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 256K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-90912)
微电路、存储器、数字、CMOS 256K X 8位UVEPROM、单片硅（取代DESC 5962-90912）

2006-12-14

现行

MIL DSCC 5962-38267H

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K X 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-38267G)
微电路 存储器 数字 CMOS 128K X 8位EEPROM 单片硅（取代DSCC 5962-38267G）

2006-05-15

现行

MIL DSCC 5962-87514E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 8K X 8-BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-87514C)
微电路、存储器、数字、CMOS、8K X 8位EEPROM、单片硅（取代DSCC 5962-87514C）

2004-06-04

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 1-Inactivation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

1995-07-24

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/260 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2001-05-01

现行

MIL MIL-M-38510/260 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2001-05-01

现行

MIL MIL-M-38510/260

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 8K X 8位、电可擦除、可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

1989-01-06

现行

MIL MIL-M-38510/261

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 32K X 8位、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、单片硅

1989-03-27

现行

MIL DESC 5962-94745

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 256K X 1-BIT SERIAL CONFIGURATION PROM, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 256K X 1位串行配置PROM 单片硅

1995-02-17

现行

MIL DESC 5962-90912

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 256K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-90912A)
微电路、存储器、数字、CMOS 256K X 8位UVEPROM、单片硅（由DSCC 5962-90912A提供）

1992-11-06

现行

MIL DSCC 5962-93157G

MICROCIRCUIT, MEMORY, HYBRID AND MONOLITHIC, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 256K X 8-BIT (SUPERSEDING DSCC 5962-93157F)
微电路 存储器 混合和单片 数字 静态随机存取存储器 CMOS 256K X 8位（取代DSCC 5962-93157F）

2002-04-02

现行

MIL DSCC 5962-90899D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K X 8-BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-90899C)
微电路、存储器、数字、CMOS 128K X 8位闪存EEPROM、单片硅（取代DSCC 5962-90899C）

2006-12-21

现行

MIL DESC 5962-89590A

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, 512 X 8 BIT CMOS, SERIAL EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-89590)
微电路、存储器、数字、512 X 8位CMOS、串行EEPROM、单片硅（取代DESC 5962-89590）

1994-05-31

现行

MIL DSCC 5962-88634F

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 32K X 8 EEPROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-88634E)
微电路、存储器、数字、CMOS、32K X 8 EEPROM、单片硅（取代DSCC 5962-88634E）

2007-03-29

现行

MIL DSCC 5962-88525D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8 EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-88525B)
微电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8 EEPROM 单片硅（取代DESC 5962-88525B）

2005-04-15

现行

MIL DESC 5962-92071

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 64 K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 64 K X 8位UVEPROM、单片硅

1994-05-27