现行

MIL DSCC 5962-38267H

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K X 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-38267G)
微电路 存储器 数字 CMOS 128K X 8位EEPROM 单片硅（取代DSCC 5962-38267G）

2006-05-15

现行

MIL DESC 5962-93244

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 512K X 8 BIT 5-VOLT PROGRAMMING EEPROM, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 512K X 8位5伏编程EEPROM 单片硅

1993-12-08

现行

MIL DSCC 5962-96690H

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, FLASH EPROM, 128K X 8-BIT, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-96690G)
微电路、存储器、数字、闪存EPROM、128K X 8位、单片硅（取代DSCC 5962-96690G）

2005-02-07

现行

MIL DSCC 5962-89614F

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 128K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-89614D)
微电路、存储器、数字、CMOS、128K X 8位UVEPROM、单片硅（取代DESC 5962-89614D）

2003-02-05

现行

MIL DSCC 5962-96691D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, SRAM, 128K X 8-BIT, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-96691C)
微电路、存储器、数字、CMOS、SRAM、128K X 8位、单片硅（取代DSCC 5962-96691C）

2006-03-07

现行

MIL DESC 5962-91682

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K X 8 BIT 5-VOLT PROGRAMMING E EPROM, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 128K X 8位5伏编程E EPROM 单片硅

1993-08-05

现行

MIL DSCC 5962-93156B

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 8-BIT (SUPERSEDING DESC 5962-93156A)
微电路 混合 存储器 数字 静态随机存取存储器 CMOS 128K X 8位（取代DESC 5962-93156A）

2000-07-10

现行

MIL DSCC 5962-87514E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 8K X 8-BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-87514C)
微电路、存储器、数字、CMOS、8K X 8位EEPROM、单片硅（取代DSCC 5962-87514C）

2004-06-04

现行

MIL DSCC 5962-93235A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 256K X 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-93235)
单片硅CMOS 256K X 8位EEPROM数字存储器微电路（取代DESC 5962-93235）

2005-02-28

现行

MIL MIL-M-38510/260

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 8K X 8位、电可擦除、可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

1989-01-06

现行

MIL MIL-M-38510/261

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 32K X 8位、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、单片硅

1989-03-27

现行

MIL MIL-M-38510/260 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2001-05-01

现行

MIL MIL-M-38510/260 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2001-05-01

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 1-Inactivation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

1995-07-24

现行

MIL DESC 5962-89590A

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, 512 X 8 BIT CMOS, SERIAL EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-89590)
微电路、存储器、数字、512 X 8位CMOS、串行EEPROM、单片硅（取代DESC 5962-89590）

1994-05-31

现行

MIL DSCC 5962-98615A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATIONHARDENED, CMOS, LOW VOLTAGE, 128K X 8-BIT STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-98615)
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS、低压、128K X 8位静态RAM、单片硅（取代DSCC 5962-98615）

2006-01-18

现行

MIL DSCC 5962-02501B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 128K X 8-BIT, LOW VOLTAGE (3.3 V) SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-02501A)
微电路、存储器、数字、CMOS、128K X 8位、低压（3.3 V）SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-02501A）

2004-09-07