现行

MIL DESC 5962-93244

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 512K X 8 BIT 5-VOLT PROGRAMMING EEPROM, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 512K X 8位5伏编程EEPROM 单片硅

1993-12-08

现行

MIL DESC 5962-89667A

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 2048 X 8 SERIAL EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-89667)
微电路、存储器、数字、CMOS、2048 X 8串行EEPROM、单片硅（取代DESC 5962-89667）

1994-01-31

现行

MIL DSCC 5962-38267H

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K X 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-38267G)
微电路 存储器 数字 CMOS 128K X 8位EEPROM 单片硅（取代DSCC 5962-38267G）

2006-05-15

现行

MIL DSCC 5962-87514E

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 8K X 8-BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-87514C)
微电路、存储器、数字、CMOS、8K X 8位EEPROM、单片硅（取代DSCC 5962-87514C）

2004-06-04

现行

MIL DSCC 5962-93235A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 256K X 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-93235)
单片硅CMOS 256K X 8位EEPROM数字存储器微电路（取代DESC 5962-93235）

2005-02-28

现行

MIL MIL-M-38510/260

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 8K X 8位、电可擦除、可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

1989-01-06

现行

MIL MIL-M-38510/261

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 32K X 8位、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、单片硅

1989-03-27

现行

MIL MIL-M-38510/260 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2001-05-01

现行

MIL MIL-M-38510/260 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2001-05-01

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 1-Inactivation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

1995-07-24

现行

MIL DSCC 5962-90899D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K X 8-BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-90899C)
微电路、存储器、数字、CMOS 128K X 8位闪存EEPROM、单片硅（取代DSCC 5962-90899C）

2006-12-21

现行

MIL DSCC 5962-99606F

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512 X 8-BIT, RADIATION-HARDENED SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-99606E)
微电路、存储器、数字、CMOS、512 X 8位、抗辐射SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-99606E）

2002-05-28

现行

MIL MIL-M-38510/472A

MICROCIRCUIT, DIGITAL,CMOS, 512 WORD X 8-BIT STATIC READ ONLY MEMORY (ROM) MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/472) (NO S/S DOCUMENT)
CMOS数字微电路 512字X 8位静态只读存储器（ROM）单片硅（取代MIL-M-38510/472）（无S/S文件）

1983-08-09

现行

MIL MIL-M-38510/472A Notice 1-Cancellation

MICROCIRCUIT, DIGITAL,CMOS, 512 WORD X 8-BIT STATIC READ ONLY MEMORY (ROM) MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/472) (NO S/S DOCUMENT)
数字微电路 CMOS 512字X 8位静态只读存储器（ROM）单片硅（取代MIL-M-38510/472）（无S/S文件）

1996-01-04