KS D 0257-2002(2017)-载流子寿命单晶硅BY光电导衰减法 - 少数民族MEASURING-国家数字标准馆

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실리콘 단결정의 광전도 감쇠법에 의한 소수캐리어의 수명 측정 방법 载流子寿命单晶硅BY光电导衰减法 - 少数民族MEASURING

发布日期： 2002-05-29

该规格是硅单晶中少数载流子的主体再结合寿命（以下简称主体寿命或tB）。乙，根据使用直流电路的光电衰减法，规定测量方法。而且测量的单晶具有均匀的组成，电阻率在1W·cm以上。

이 규격은 실리콘 단결정 중의 소수 캐리어의 벌크 재결합 수명(이하 벌크 수명 또는 tB라 한다.)을, 직 류 회로를 사용한 광도전 감쇠법에 따라 측정하는 방법에 대하여 규정한다. 그리고 측정하는 단결정은 균일한 조성을 가지며, 저항률이 1 W · cm 이상인 것으로 한다.

分类信息

发布单位或类别：韩国-韩国标准

ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料

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KS D 0257(2022 Confirm)

실리콘 단결정의 광전도 감쇠법에 의한 소수캐리어의 수명 측정 방법
光电导衰减法测量硅单晶中的少数载流子寿命

2002-05-29

现行

JIS H 0604-1995

Measuring of minority-carrier lifetime in silicon single crystal by photoconductive decay method
用光电导衰减法测量硅单晶中的少子寿命

1995-01-01