现行

MIL DESC 5962-95713

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS PROGRAMMABLE INTERVAL TIMER, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-95713B)
微电路 数字 抗辐射CMOS可编程间隔定时器 单片硅（S/S由DSCC 5962-95713B提供）

1996-01-16

现行

MIL DESC 5962-95713 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS PROGRAMMABLE INTERVAL TIMER, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-95713B)
单片硅数字辐射硬化CMOS可编程间隔定时器微电路

1998-07-08

现行

MIL DSCC 5962-95713B

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, PROGRAMMABLE INTERVAL TIMER, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-95713)
微电路 数字 抗辐射 CMOS 可编程间隔定时器 单片硅（取代DESC 5962-95713）

2007-04-17

现行

MIL DSCC 5962-96672B

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, PROGRAMMABLE TIMER, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-96672)
微电路 数字 抗辐射CMOS 可编程定时器 单片硅（取代DESC 5962-96672）

2000-05-25

现行

MIL DESC 5962-88713

MICROCIRCUIT, DIGITAL, CMOS PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-88713A)
微电路 数字 CMOS可编程逻辑阵列 单片硅（S/S由DSCC 5962-88713A提供）

1988-09-23

现行

MIL DESC 5962-93144

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, UV ERASABLE PROGRAMMABLE, LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-93144B)
微电路、存储器、数字、CMOS、紫外线可擦除可编程、逻辑器件、单片硅（由DSCC 5962-93144B提供）

1993-10-18

现行

MIL DESC 5962-93144 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, UV ERASABLE PROGRAMMABLE, LOGIC DEVICE, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-93144B)
微电路 存储器 数字 CMOS 紫外可擦除可编程 逻辑器件 单片硅（由DSCC 5962-93144B提供）

1994-01-18

现行

MIL DESC 5962-94510

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS UV ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-94510A)
微电路、存储器、数字、CMOS紫外可擦除可编程逻辑阵列、单片硅（S/S由DSCC 5962-94510A提供）

1994-04-21

现行

MIL DESC 5962-94524

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, ONE-TIME PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-94524A)
微电路、存储器、数字、CMOS、一次性可编程逻辑阵列、单片硅（S/S由DSCC 5962-94524A提供）

1994-01-21

现行

MIL DESC 5962-90989

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS UV ERASABLE PROGRAMMABLE LOGIC ARRAY, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-90989A)
微电路、存储器、数字、CMOS紫外可擦除可编程逻辑阵列、单片硅（S/S由DSCC 5962-90989A提供）

1994-03-01

现行

MIL MIL-M-38510/508 Amendment 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/508A)
微型电路 存储器 数字 CMOS一次性可编程阵列逻辑 单片硅（S/S BY MIL-M-38510/508A）

1992-02-20

现行

MIL MIL-M-38510/508 Notice 1-Inactivation

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/508A)
微型电路 存储器 数字 CMOS一次性可编程阵列逻辑 单片硅（S/S BY MIL-M-38510/508A）

1995-07-28

现行

MIL MIL-M-38510/508 Notice 2-Validation

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS ONE-TIME PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON(S/S BY MIL-M-38510/508A)
微型电路 存储器 数字 CMOS一次性可编程阵列逻辑 单片硅（S/S BY MIL-M-38510/508A）

2001-05-22

现行

MIL MIL-M-38510/265 Notice 1-Inactivation

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 524,288 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON (NO S/S DOCUMENT)
微型电路 存储器 数字 CMOS 524288位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅（无S/S文件）

1995-07-24

现行

MIL MIL-M-38510/265 Notice 2-Cancellation

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 524,288 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON (NO S/S DOCUMENT)
微型电路 存储器 数字 CMOS 524288位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅（无S/S文件）

2001-10-10

现行

MIL DESC 5962-93097

MICROCIRCUIT, DIGITAL, ADVANCED CMOS, PROGRAMMABLE VIDIO SYNC GENERATOR, TTL COMPATIBLE INPUTS, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-93097A)
微电路 数字 高级CMOS 可编程视频同步发生器 TTL兼容输入 单片硅（S/S由DSCC 5962-93097A提供）

1994-06-01

现行

MIL MIL-M-38510/265

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 524,288 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON (NO S/S DOCUMENT)
微电路、存储器、数字、CMOS 524288位、电可擦除、可编程只读存储器（EEPROM）、单片硅（无S/S文件）

1990-07-12

现行

MIL DESC 5962-89840C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, EE PROGRAMMABLE ARRAY LOGIC, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-89840)(S/S BY DSCC 5962-89840D)
微电路、存储器、数字、CMOS、EE可编程阵列逻辑、单片硅（取代DESC 5962-89840）（S/S由DSCC 5962-89840D提供）

1994-01-27

现行

MIL DESC 5962-90869 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 8 ELECATRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-90869C)
微型电路 存储器 数字 CMOS 64K X 8电可擦除可编程只读存储器 单片硅（由DSCC 5962-90869C制造）

1992-01-22

现行

MIL DESC 5962-90869 Notice B-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 8 ELECATRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-90869C)
微型电路 存储器 数字 CMOS 64K X 8电可擦除可编程只读存储器 单片硅（由DSCC 5962-90869C制造）

1998-08-06