MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, PROGRAMMABLE INTERVAL TIMER, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-95713)
微电路 数字 抗辐射 CMOS 可编程间隔定时器 单片硅（取代DESC 5962-95713）

2007-04-17

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS PROGRAMMABLE INTERVAL TIMER, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-95713B)
微电路 数字 抗辐射CMOS可编程间隔定时器 单片硅（S/S由DSCC 5962-95713B提供）

1996-01-16

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, PROGRAMMABLE TIMER, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-96672)
微电路 数字 抗辐射CMOS 可编程定时器 单片硅（取代DESC 5962-96672）

2000-05-25

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, PROGRAMMABLE PERIPHERAL INTERFACE, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-95819)
抗辐射CMOS可编程外围接口单片硅数字微电路（取代DESC 5962-95819）

1996-11-13

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION - HARDENED, 32K X 8-BIT MASK PROGRAMMABLE ROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、32K X 8位掩模可编程ROM、单片硅

1997-05-30

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION- HARDENED, 8K X 8-BIT MASK PROGRAMMABLE ROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、8K X 8位掩模可编程ROM、单片硅

1997-10-16

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, SOI, RADIATION- HARDENED, 32K X 8-BIT MASK PROGRAMMABLE ROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-98644)
微电路、存储器、数字、CMOS、SOI、抗辐射、32K X 8位掩模可编程ROM、单片硅（取代DSCC 5962-98644）

2006-01-13

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, FIELD PROGRAMMABLE GATE ARRAY (FPGA) 320K GATES WITH 24 DUAL-PORT SRAM MODULES, RADIATION HARDENED, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-04229)
微电路、存储器、数字、CMOS、现场可编程门阵列（FPGA）320K门 带24个双端口SRAM模块、抗辐射、单片硅（取代DSCC 5962-04229）

2006-08-25