MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 4 SRAM (LOW POWER), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-88545B)
微电路、存储器、数字、CMOS、64K X 4 SRAM（低功耗）、单片硅（取代DSCC 5962-88545B）

2007-02-28

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 256K X 1 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), SEPARATE I/O, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-93128)
微电路、存储器、数字、CMOS、256K X 1静态随机存取存储器（SRAM）、独立I/O、单片硅（取代DESC 5962-93128）

1993-08-31

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 32K X 8 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) LOW POWER MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-88552E)
微电路、存储器、数字、CMOS、32K X 8静态随机存取存储器（SRAM）低功耗单片硅（取代DSCC 5962-88552E）

2002-08-16

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 128K X 8 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) LOW POWER, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-89598P)
微电路 存储器 数字 CMOS 128K X 8静态随机存取存储器（SRAM） 低功耗 单片硅（取代DSCC 5962-89598P）

2006-02-13