GB/T 14847-1993-重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法-国家数字标准馆

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重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance

发布日期： 1993-12-24

实施日期： 1994-09-01

废止日期： 2011-10-01

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准

CCS分类： H21冶金 - 金属理化性能试验方法 - 金属物理性能试验方法

ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：机电部四十六所和上海第二冶炼厂

起草人：何秀坤、李光平、叶裕宗、严世权、王琴、张志刚、钱国胜

相似标准/计划/法规

现行

GB/T 14847-2010

重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
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现行

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