水平法砷化镓单晶及切割片
Gallium arsenide single crystal and cutting wafer grown by horizontal bridgman method
发布日期：
2020-09-29
实施日期：
2021-08-01
本标准规定了水平法砷化镓单晶(以下简称砷化镓单晶)及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片
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地 址：北京市海淀区知春路4号
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