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发布时间
现行
T/CASAS 004.2-2018
4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2018-11-20
CCS分类：
H20/29金属理化性能试验方法
ICS分类：
31.080.01半导体器分立件综合
现行
T/CASAS 009-2019
半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
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团体标准
发布日期：
2019-11-25
CCS分类：
Q34工业技术玻璃
ICS分类：
31.080.01半导体器分立件综合
现行
T/CASAS 008-2019
地铁再生制动能量回收系统技术规范
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2019-12-18
CCS分类：
Z60/79污染物排放标准
ICS分类：
29.280电力牵引设备
现行
T/CASAS 010-2019
氮化镓材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法
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团体标准
发布日期：
2019-11-25
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
31.080.01半导体器分立件综合
现行
T/CASAS 004.1-2018
4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2018-11-20
CCS分类：
H20/29金属理化性能试验方法
ICS分类：
31.080.01半导体器分立件综合
现行
T/CASAS 014-2021
碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2021-11-01
CCS分类：
H20/29金属理化性能试验方法
ICS分类：
17.180光学和光学测量
现行
T/CASAS 003-2018
p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2018-11-20
CCS分类：
H82元素半导体材料
ICS分类：
31.080.01半导体器分立件综合
现行
T/CASAS 013-2021
碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2021-11-01
CCS分类：
H20/29金属理化性能试验方法
ICS分类：
01.040词汇
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国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
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每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
乘车线路：
乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
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