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现行
SJ/T 1486-2016
半导体分立器件 3CG180型硅ＰＮＰ高频高反压小功率晶体管详细规范
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Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG180 high frequency high voltage low power PNP silicon transistor
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2016-04-05
ICS分类：31.080.30三极管
现行
SJ/T 1480-2016
半导体分立器件 3CG130型硅PNP高频小功率晶体管详细规范
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Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG130 high frequency low power PNP silicon transistor
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2016-04-05
ICS分类：31.080.30三极管
现行
SJ/T 1477-2016
半导体分立器件 3CG120型硅PNP高频小功率晶体管详细规范
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Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG120 high frequency low power PNP silicon transistor
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2016-04-05
ICS分类：31.080.30三极管
现行
SJ/T 1472-2016
半导体分立器件 3CG110型硅ＰＮＰ高频小功率晶体管详细规范
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Semiconductor discrete devices Detail specification for type 3CG110 high frequency low power PNP silicon transistor
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2016-04-05
ICS分类：31.080.30三极管
暂缓
20061346-T-339
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
到馆提醒
收藏跟踪
Semiconductor devices－Discrete devices Part 8：Field－effect transistors
发布单位或类别：国家标准计划
下达日期： 2005-12-30
ICS分类：31.080.30三极管
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