登 录
注 册
个人中心
退出账号
首页
馆藏资源
舆情信息
标准服务
科研活动
关于我们
国家标准
行业标准
地方标准
团体标准
国际（区域）标准
国外国家标准
国际性专业标准
技术法规
国内舆情
国际舆情
文献服务
知识服务
服务站点
标准数字化
技贸措施研究
国家标准馆
国家数字标准馆
发展大事记
搜索
高级检索
批量检索
高级检索
起草人: 李戍德
标准层级
全部
国家标准
行业标准
地方标准
团体标准
国际（区域）标准
国外国家标准
国际性专业标准
技术法规
国家
全部
中国(11)
标准组织
全部
电子(10)
国家标准(1)
发布年代
全部
1995(8)
1994(3)
标准状态
全部
现行(9)
作废(1)
被代替(1)
ICS
全部
31电子学(1)
CCS
全部
L电子元器件与信息技术(11)
展开全部分类
排序结果：
相关性
标准号
发布时间
作废
SJ 20514-1995
微波功率晶体管用硅外延片规范
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Specification for silicon epitaxial wafer for microwave power transistor
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1995-05-25
CCS分类：
L90电子技术专用材料
ICS分类：
被代替
GB/T 4587-1994
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Semiconductor discrete devices and integrated circuits—Part 7:Bipolar transistors
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
1994-12-30
CCS分类：
L42半导体三极管
ICS分类：
31.080半导体分立器件
现行
SJ 50033.51-1994
半导体分立器件CS0558型砷化镓微波双栅场效应晶体管详细规范
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Semiconductor discreted devices Detail specification for type CS0558 GaAs microwave dual gate FET
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1994-09-30
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
现行
SJ 50033/42-1994
半导体分立器件 ＣＳ０４６７型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Semiconductor discrete device--Detail specification for type CS0467 GaAs microwave FET
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1994-09-30
CCS分类：
L44场效应器件
ICS分类：
现行
SJ 50033/81-1995
半导体分立器件 ＣＳ０５２４型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS0524 GaAs microwave power FET
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1995-05-25
CCS分类：
L42半导体三极管
ICS分类：
现行
SJ 50033/80-1995
半导体分立器件 ＣＳ０５１３型砷化镓微波功率场效应晶体管详细规范
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS0513 GaAs microwave power FET
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1995-05-25
CCS分类：
L42半导体三极管
ICS分类：
现行
SJ 50033/78-1995
半导体分立器件 ＣＳ０４６４型砷化镓微波场效应晶体管详细规范
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type CS0464 GaAs microwave FET
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1995-05-25
CCS分类：
L42半导体三极管
ICS分类：
现行
SJ 50033/77-1995
半导体分立器件 ３ＤＡ３３１型硅微波功率晶体管详细规范
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type 3DA331 silicon microwave power transistor
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1995-05-25
CCS分类：
L42半导体三极管
ICS分类：
现行
SJ 50033/76-1995
半导体分立器件 ３ＤＧ２１８型硅微波低噪声晶体管详细规范
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type 3DG218 silicon microwave low-noise transistor
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1995-05-25
CCS分类：
L42半导体三极管
ICS分类：
现行
SJ 50033/75-1995
半导体分立器件 ３ＤＧ１３５型硅超高频小功率晶体管详细规范
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
微信扫一扫：分享
微信里点“发现”，扫一下
二维码便可将本文分享至朋友圈。
Semiconductor discrete devices--Detail specification for Type 3DG135 silicon ultra high frequency low-power transistor
发布单位或类别：
行业标准-电子
发布日期：
1995-05-25
CCS分类：
L42半导体三极管
ICS分类：
【到馆阅览须知】
国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
1. 本馆向在国家数字标准馆网络平台上完成实名注册和预约的读者开放。
2. 请勿在非开放范围随意走动和从事与国家标准馆所提供服务无关的活动。
3. 请勿携带食品、有色和含糖饮料进入阅览区域。
4. 禁止在馆区内吸烟和使用明火，禁止携带易燃、易爆、有毒等危险品。
5. 请注意仪表着装，衣冠整洁得体，言谈举止文明。
6. 请遵守公共秩序和国家标准馆相关管理规定，服从工作人员管理，自觉维护参观秩序和良好的阅读环境。
开放时间：
每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
乘车线路：
乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
服务咨询：
赵老师 电话：010-58811369 邮箱：zhaoping@cnis.ac.cn
刘老师 电话：010-58811368 邮箱：liuyzh@cnis.ac.cn
取消
确认预约到馆
搜索
首页
馆藏资源
舆情信息
标准服务
科研活动
关于我们
️版权归中国标准化研究院所有