KS D 0259-2012(2017)-测量的厚度厚度不均或弓硅片方法-国家数字标准馆

现行 KS D 0259-2012(2017)

到馆提醒

收藏跟踪

购买正版

실리콘 웨이퍼의 두께,두께 변화 및 휨의 측정 방법 测量的厚度厚度不均或弓硅片方法

发布日期： 2012-05-17

该标准是硅单晶晶片晶片晶片（以下简称晶片晶片晶片）。规定的厚度、厚度变化及扭曲的测量方法。

이 표준은 실리콘 단결정 웨이퍼(이하, 웨이퍼라 한다.)의 두께, 두께 변화 및 휨의 측정 방법에 대하 여 규정한다.

分类信息

发布单位或类别：韩国-韩国标准

ICS分类： 77.120.99有色金属 - 其他有色金属及其合金

关联关系

研制信息

相似标准/计划/法规

KS D 0259(2022 Confirm)

실리콘 웨이퍼의 두께,두께 변화 및 휨의 측정 방법
硅片厚度、厚度变化和弯曲的测量方法

GB/T 30867-2014

碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法
Test method for measuring thickness and total thickness variation of monocrystalline silicon carbide wafers

GB/T 29507-2013

硅片平整度、厚度及总厚度变化测试自动非接触扫描法
Test method for measuring flatness, thickness and total thickness variation on silicon wafers by automated non-contact scanning

《国家标准化发展纲要》提出建设国家数字标准馆，推动标准化工作向数字化、网络化、智能化转型。中国标准化研究院正在全力推进国家数字标准馆建设，力争在2026年底建成“一个中心”和“一个平台”，即全球领先的标准数据资源中心，涵盖标准全生命周期的数字化、网络化、智能化研究与服务平台。

专题数据库

标准管理系统

大数据分析系统

标准智能研制系统