现行

MIL MIL-M-38510/260 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/260 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2001-05-01

现行

MIL MIL-M-38510/260

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 8K X 8位、电可擦除、可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

1989-01-06

现行

MIL MIL-M-38510/228 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, DIGITAL, NMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
数字微电路 NMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2006-01-31

现行

MIL MIL-M-38510/228 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, DIGITAL, NMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
数字微电路 NMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

2001-04-26

现行

MIL MIL-M-38510/228

MICROCIRCUITS, DIGITAL, NMOS 8K X 8 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM) MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 NMOS 8K X 8位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM）单片硅

1987-09-22

现行

MIL DESC 5962-90869 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 8 ELECATRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-90869C)
微型电路 存储器 数字 CMOS 64K X 8电可擦除可编程只读存储器 单片硅（由DSCC 5962-90869C制造）

1992-01-22

现行

MIL DESC 5962-90869 Notice B-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 8 ELECATRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-90869C)
微型电路 存储器 数字 CMOS 64K X 8电可擦除可编程只读存储器 单片硅（由DSCC 5962-90869C制造）

1998-08-06

现行

MIL DSCC 5962-90869C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 8 ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DESC 5962-90869)
微电路、存储器、数字、CMOS、64K X 8电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、单片硅（取代DESC 5962-90869）

2007-04-13

现行

MIL DESC 5962-90869

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 8 ELECATRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-90869C)
微电路、存储器、数字、CMOS、64K X 8电可擦除可编程只读存储器、单片硅（由DSCC 5962-90869C提供）

1991-10-18

现行

MIL DESC 5962-97544

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATION- HARDENED, 8K X 8-BIT MASK PROGRAMMABLE ROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、8K X 8位掩模可编程ROM、单片硅

1997-10-16

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 1-Inactivation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

1995-07-24

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2006-02-06

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2001-05-01

现行

MIL MIL-M-38510/261

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS 32K X 8位、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）、单片硅

1989-03-27

现行

MIL DSCC 82025H

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, 16K X 8 UV ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (EPROM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 82025G)
微电路 存储器 数字 16K X 8紫外线可擦除可编程只读存储器（EPROM） 单片硅（取代DSCC 82025G）

2005-03-09

现行

MIL DSCC 5962-86709E

MICROCIRCUIT, DIGITAL, BIPOLAR, MEMORY, 16 X 48 X 8 FIELD PROGRAMMABLE LOGIC SEQUENCER, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-86709D)
微电路、数字、双极、存储器、16 X 48 X 8现场可编程逻辑序列器、单片硅（取代DESC 5962-86709D）

2002-01-04

现行

MIL DSCC 78022N

MICROCIRCUIT, DIGITAL, NMOS, 2K X 8 UV ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (PROM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 78022M)
微电路 数字 NMOS 2K X 8紫外线可擦除可编程只读存储器（PROM） 单片硅（取代DSCC 7802M）

2005-03-02

现行

MIL DSCC 5962-92012A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, BIPOLAR, 12 X 48 X 8 FIELD PROGRAMMABLE LOGIC SEQUENCER (FPLS), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-92012)
单片硅12 X 48 X 8现场可编程逻辑序列器（FPLS）双极数字存储器微电路（取代DESC 5962-92012）

2002-02-22