GB/T 5252-2020-锗单晶位错密度的测试方法-国家数字标准馆

现行 GB/T 5252-2020

到馆阅读

收藏跟踪

购买正版

选择购买版本本服务由中国标准服务网提供

电子版

中文(简体)/电子版加密PDF格式/约1分钟可下载/有水印/要装插件FileOpen/电脑需联网/限制累计3台电脑共打印5次

¥ 29

纸质版

中文(简体)/纸质版/约1个工作日发快递/无授权单位水印

¥ 29

更多

前往中国标准服务网获取更多购买信息

锗单晶位错密度的测试方法 Test method for dislocation density of monocrystal germanium

发布日期： 2020-06-02

实施日期： 2021-04-01

本标准规定了锗单晶位错密度的测试方法。
本标准适用于{111} 、{100}和{113}面锗单晶位错密度的测试，测试范围为 0 cm^(-2)～100 000 cm^(-2)

分类信息

发布单位或类别：中国-国家标准

CCS分类： H21冶金 - 金属理化性能试验方法 - 金属物理性能试验方法

ICS分类： 77.040冶金 - 金属材料试验

关联关系

研制信息

归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会

起草单位：有研光电新材料有限责任公司、北京国晶辉红外光学科技有限公司、国合通用测试评价认证股份公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中国电子科技集团公司第四十六研究所、广东先导稀材股份有限公司、中锗科技有限公司、义乌力迈新材料有限公司

起草人：张路、冯德伸、马会超、普世坤、姚康、刘新军、郭荣贵、向清华、韦圣林、黄洪伟文

相似标准/计划/法规

砷化镓单晶位错密度的测试方法
Test method for dislocation density of monocrystal gallium arsenide

GB/T 34481-2017

低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度（EPD）的测量方法
Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices

GB/T 41765-2022

碳化硅单晶位错密度的测试方法
Test method for dislocation density of monocrystalline silicon carbide

GB/T 33763-2017

蓝宝石单晶位错密度测量方法
Test method for dislocation density of sapphire single crystal

SJ/T 11490-2015

低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法
Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density gallium arsenide wafers

SJ/T 11489-2015

低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法
Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density indium phosphide wafers

《国家标准化发展纲要》提出建设国家数字标准馆，推动标准化工作向数字化、网络化、智能化转型。中国标准化研究院正在全力推进国家数字标准馆建设，力争在2026年底建成“一个中心”和“一个平台”，即全球领先的标准数据资源中心，涵盖标准全生命周期的数字化、网络化、智能化研究与服务平台。

专题数据库

标准管理系统

大数据分析系统

标准智能研制系统