现行

MIL DSCC 5962-94612H

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, FLASH ERASABLE/PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY, 512K X 32-BIT(SUPERSEDING DSCC 5962-94612G)
微电路 混合 存储器 闪存可擦除/可编程只读存储器 512K X 32位（取代DSCC 5962-94612G）

2006-02-03

现行

MIL DSCC 5962-94610C

MICROCIRCUIT, HYBRID, DIGITAL, FLASH, ERASABLE/PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY, 128K X 32-BIT(SUPERSEDING DSCC 5962-94610B)
微电路 混合 数字 闪存 可擦除/可编程只读存储器 128K X 32位（取代DSCC 5962-94610B）

2006-06-30

现行

MIL DESC 5962-94613A

MICROCIRCUIT, DIGITAL, FLASH ERASABLE/PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY, 1024K X 32-BIT, HYBRID (SUPERSEDING DESC 5962-94613)
微电路 数字 闪存可擦除/可编程只读存储器 1024K X 32位 混合（取代DESC 5962-94613）

1995-03-09

现行

MIL DSCC 5962-93091D

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, 512K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY(SUPERSEDING DESC 5962-93091B)
微电路 混合 存储器 512K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（取代DESC 5962-93091B）

2005-08-17

现行

MIL DSCC 5962-93154A

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, 128K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY(SUPERSEDING DESC 5962-93154)
微电路 混合 存储器 128K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（取代DESC 5962-93154）

2005-08-02

现行

MIL DSCC 5962-93155B

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, 256K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY(SUPERSEDING DESC 5962-93155A)
微电路 混合 存储器 256K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（取代DESC 5962-93155A）

2005-08-08

现行

MIL DSCC 5962-94585J

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, 128K X 32-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE/PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (SUPERSEDING DSCC 5962-94585H)
微电路 混合 存储器 数字 128K X 32位 电可擦除/可编程只读存储器（取代DSCC 5962-94585H）

2003-10-06

现行

MIL DSCC 5962-94614E

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, 32K X 32-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE AND PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (SUPERSEDING DSCC 5962-94614D)
微电路、混合、存储器、数字、32K X 32位、电可擦除和可编程只读存储器（取代DSCC 5962-94614D）

2003-10-20

现行

MIL DSCC 5962-96689A

MICROCIRCUIT, HYBRID, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY, 128K X 16-BIT(SUPERSEDING DESC 5962-96689)
微电路 混合 电可擦除可编程只读存储器 128K X 16位（取代DESC 5962-96689）

2005-08-15

现行

MIL DSCC 5962-94716F

MICROCIRCUIT, HYBRID, DIGITAL, FLASH ERASABLE/PROGRAMMBLE READ ONLY MEMORY, 128K X 32-BIT (SUPERSEDING DSCC 5962-94716E)
128K X 32位混合数字闪存可擦除/可编程只读存储器微电路（取代DSCC 5962-94716E）

2003-11-10

现行

MIL MIL-M-38510/224 Amendment 2

MICROCIRCUIT, DIGITAL, 262,144 BIT, MOS, ULTRAVIOLET ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EPROM) MOMOLITHIC SILICON
262144位金属氧化物半导体紫外可擦除可编程只读存储器（EPROM）单片硅数字微电路

1994-07-31

现行

MIL MIL-M-38510/227 Notice 1-Inactivation 1

MICROCIRCUITS, DIGITAL, NMOS, 16,384 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 数字 NMOS 16384位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

1995-07-24

现行

MIL MIL-M-38510/227 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, DIGITAL, NMOS, 16,384 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 数字 NMOS 16384位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2006-01-31

现行

MIL MIL-M-38510/224 Notice 3-Validation 3

MICROCIRCUIT, DIGITAL, 262,144 BIT, MOS, ULTRAVIOLET ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EPROM) MOMOLITHIC SILICON
262144位金属氧化物半导体紫外可擦除可编程只读存储器（EPROM）单片硅数字微电路

2006-01-31

现行

MIL MIL-M-38510/224 Notice 2-Validation 2

MICROCIRCUIT, DIGITAL, 262,144 BIT, MOS, ULTRAVIOLET ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EPROM) MOMOLITHIC SILICON
262144位金属氧化物半导体紫外可擦除可编程只读存储器（EPROM）单片硅数字微电路

2001-04-26

现行

MIL MIL-M-38510/227 Notice 2-Validation 1

MICROCIRCUITS, DIGITAL, NMOS, 16,384 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 数字 NMOS 16384位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2001-04-26

现行

MIL MIL-M-38510/227

MICROCIRCUITS, DIGITAL, NMOS, 16,384 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 NMOS 16384位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

1987-03-27

现行

MIL MIL-M-38510/224

MICROCIRCUIT, DIGITAL, 262,144 BIT, MOS, ULTRAVIOLET ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EPROM) MOMOLITHIC SILICON
微电路 数字 262144位 MOS 紫外线可擦除可编程只读存储器（EPROM）多晶硅

1986-06-09

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 1-Inactivation 1

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

1995-07-24

现行

MIL MIL-M-38510/261 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, MEMORY, DIGITAL, CMOS 32K X 8-BIT, ELECTRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 存储器 数字 CMOS 32K X 8位 电可擦除可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2006-02-06