范围:本文件规定了利用双晶X射线衍射仪测试氧化镓单晶片摇摆曲线及其半高宽的方法。 本文件适用于熔体法及其他方法生长的和定向切割晶锭制备的氧化镓单晶片，对前述单晶片进行化学或机械抛光后的样品同样适用于此方法。 本文件适用于β相氧化镓单晶; 主要技术内容:氧化镓（Ga2O3）因其具有4.9 eV超宽带隙，且具有天然的日盲紫外特性以及极高的击穿场强获得了广泛关注。氧化镓拥有日盲、耐高压高温、低损耗高功率等特点，在半导体功率器件及电力电子器件市场前景广泛。氧化镓单晶材料是氧化镓生长最理想的衬底，对提高外延薄膜的质量，降低位错密度，提高器件效率，延长工作寿命等方面具有不可替代的优势。氧化镓单晶材料的重要性能指标之一就是结晶质量，而高分辨X射线衍射摇摆曲线半高宽测试具有快速、无损、精度高等优点，是表征氧化镓单晶结晶质量的必要方法，编制本方法有助于规范行业内产品质量的评估，对产业的健康发展及半导体材料的标准化工作可起到重要的促进作用