现行

MIL DSCC 5962-07210

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT (4M), RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位（4M）、抗辐射、低压SRAM、单片硅

2007-02-16

现行

MIL DSCC 5962-96645B

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, QUAD LOW-TO-HIGH VOLTAGE LEVEL SHIFTER, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-96645)
微电路 数字 抗辐射 CMOS 四低到高电压电平移位器 单片硅（取代DESC 5962-96645）

2005-04-15

现行

MIL DSCC 5962-99607G

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT, RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-99607F)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位、抗辐射、低压SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-99607F）

2002-12-08

现行

MIL DSCC 5962-96665D

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, CMOS, HEX VOLTAGE LEVEL SHIFTER FOR TTL-TO-CMOS OR CMOS-TOCMOS OPERATION, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-96665C)
用于TTL-TO-CMOS或CMOS-TOCMOS操作、单片硅（取代DSCC 5962-96665C）的抗辐射CMOS六角电压电平移位器数字微电路

2005-09-08

现行

MIL DSCC 5962-02543

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCE CMOS, SCHMITT 16-BIT BIDIRECTIONAL MILTI-PURPOSE LOW VOLTAGE TRANSCEIVER WITH THREE-STATE OUTPUTS, MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 抗辐射 高级CMOS 施密特16位双向多用途低压收发器 三态输出 单片硅

2003-03-13

现行

MIL DSCC 5962-06229A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 16 MBIT (512K X 32), RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MULTICHIP MODULE(SUPERSEDING DSCC 5962-06229)
微电路、存储器、数字、CMOS、16Mbit（512K X 32）、抗辐射、低压SRAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-06229）

2006-07-12

现行

MIL DESC 5962-95713

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS PROGRAMMABLE INTERVAL TIMER, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-95713B)
微电路 数字 抗辐射CMOS可编程间隔定时器 单片硅（S/S由DSCC 5962-95713B提供）

1996-01-16

现行

MIL DESC 5962-95713 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS PROGRAMMABLE INTERVAL TIMER, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-95713B)
单片硅数字辐射硬化CMOS可编程间隔定时器微电路

1998-07-08

现行

MIL DSCC 5962-96635C

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, LOW-POWER MONOSTABLE/ASTABLE MULTIVIBRATOR, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-96635)
微电路 数字 抗辐射CMOS 低功耗单稳态/非稳态多谐振荡器 单片硅（取代DESC 5962-96635）

2003-07-02

现行

MIL DSCC 5962-01532B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 1024K X 8-BIT, (8 M) RADIATION-HARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MULTICHIP MODULE (SUPERSEDING DSCC 5962-01532A)
微电路 存储器 数字 CMOS 1024K X 8位 （8米）抗辐射 低压SRAM 多芯片模块（取代DSCC 5962-01532A）

2003-02-21

现行

MIL DESC 5962-96580 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, QUADRUPLE S-R LATCH, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-96580B)
微电路 数字 辐射硬化 高级CMOS 四重S-R锁存器 单片硅（由DSCC 5962-96580B提供的S/S）

1996-11-18

现行

MIL DESC 5962-96580

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, QUADRUPLE S-R LATCH, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-96580B)
微电路 数字 抗辐射 先进的CMOS 四重S-R锁存器 单片硅（S/S由DSCC 5962-96580B提供）

1996-05-20

现行

MIL DESC 5962-96524 Notice B-Revision

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, HEX INVERTER SCHMITT TRIGGER, MONOLITHIC SILICON (S/S BY DSCC 5962-96524C)
微电路 数字 辐射硬化 高级CMOS 十六进制反相器施密特触发器 单片硅（由DSCC 5962-96524C提供的S/S）

1997-04-22

现行

MIL DESC 5962-96524

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, HEX INVERTER SCHMITT TRIGGER, MONOLITHIC SILICON (S/S BY DSCC 5962-96524C)
微电路 数字 抗辐射 先进的CMOS 十六进制逆变施密特触发器 单片硅（S/S由DSCC 5962-96524C提供）

1996-07-02

现行

MIL DSCC 5962-96580B

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, QUADRUPLE S-R LATCH, MONOLITHIC SILCION(SUPERSEDING DESC 5962-96580)
微电路 数字 抗辐射 高级CMOS 四重S-R锁存 单片硅（取代DESC 5962-96580）

2006-02-07

现行

MIL DESC 5962-96596 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, DUAL 4-INPUT NOR GATE, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-96596B)
微电路 数字 辐射硬化 先进的CMOS 双4输入NOR门 单片硅（由DSCC 5962-96596B设计）

1996-11-20

现行

MIL DESC 5962-96596

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, DUAL 4-INPUT NOR GATE, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-96596B)
微电路 数字 抗辐射 先进的CMOS 双4输入或非门 单片硅（S/S由DSCC 5962-96596B提供）

1996-04-19

现行

MIL DSCC 5962-96634C

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED CMOS, QUAD THREE-STATE R/S LATCH, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-96634)
微电路 数字 抗辐射CMOS 四态R/S锁存器 单片硅（取代DESC 5962-96634）

2003-07-02

现行

MIL DSCC 5962-04227B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 32-BIT (16M), RADIATION-HARDENED, DUAL VOLTAGE SRAM, MULTICHIP MODULE(SUPERSEDING DSCC 5962-04227A)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 32位（16M）、抗辐射、双电压SRAM、多芯片模块（取代DSCC 5962-04227A）

2005-11-29

现行

MIL DESC 5962-96582 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, DIGITAL, RADIATION HARDENED, ADVANCED CMOS, 9-BIT ODD/EVEN PARITY GENERATOR/CHECKER, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-96582B)
微电路 数字 辐射硬化 高级CMOS 9位奇数/偶数奇偶校验发生器/检验器 单片硅（由DSCC 5962-96582B提供的S/S）

1996-11-18