现行

MIL MIL-M-38510/202B Notice 1-Validation 1

MICROCIRCUIT, DIGITAL, 1024 BIT BIPOLAR PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (P-ROM), MONOLITHIC SILICON
单片硅数字1024位双极可编程只读存储器（P-ROM）微电路

2001-04-16

现行

MIL MIL-M-38510/203E

Microcircuits, Digital, 1024 Bit Schottky, Bipolar, Programmable Read-Only Memory (Prom), Monolithic Silicon
微电路 数字 1024位肖特基 双极 可编程只读存储器（Prom） 单片硅

2007-09-18

现行

MIL MIL-M-38510/206D

Microcircuit, Digital, 4096 Bit Schottky, Bipolar, Programmable Read-Only Memory (PROM)
数字微电路 4096位肖特基 双极 可编程只读存储器（PROM）

2014-12-02

现行

MIL MIL-M-38510/211 Notice 2-Validation

MICROCIRCUITS, DIGITAL, 32,768 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (PROM), MONOLITHIC SILICON
微处理器 数字 32,768位肖特基 BIPOLAR 可编程只读存储器（PROM） 单片硅

2001-04-24

现行

MIL MIL-M-38510/212 Notice 2-Validation

MICROCIRCUITS, DIGITAL, 65,536 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (PROM), MONOLITHIC SILICON
数字、65536位肖特基、双极、可编程只读存储器（PROM）、单片硅微电路

2001-04-24

现行

MIL MIL-M-38510/207E

Microcircuit, Digital, 256-Bit, Schottky, Bipolar, Programmable Read-Only Memory (PROM), Monolithic Silicon
微电路 数字 256位 肖特基 双极 可编程只读存储器（PROM） 单片硅

2007-10-05

现行

MIL MIL-M-38510/212

MICROCIRCUITS, DIGITAL, 65,536 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (PROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 数字 65536位肖特基 双极 可编程只读存储器（PROM） 单片硅

1987-11-12

现行

MIL MIL-M-38510/211

MICROCIRCUITS, DIGITAL, 32,768 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (PROM), MONOLITHIC SILICON
微电路 数字 32768位肖特基 双极 可编程只读存储器（PROM） 单片硅

1987-04-01

现行

MIL MIL-M-38510/202B

MICROCIRCUIT, DIGITAL, 1024 BIT BIPOLAR PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (P-ROM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/202A)(SEE BASE FOR INACTIVATION NOTICE)
微电路 数字 1024位双极可编程只读存储器（P-ROM） 单片硅（取代MIL-M-38510/202A）（参见基本灭活通知）

1984-05-25

现行

MIL MIL-M-38510/203C Notice 1-Inactivation

MICROCIRCUITS, DIGITAL, 1024 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (PROM) MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/203B)(S/S BY MIL-M-38510/203D)
1024位肖特基双极可编程只读存储器单片硅数字微电路（取代MIL-M-38510/203B）

1995-07-24

现行

MIL MIL-M-38510/203C Notice 2-Validation

MICROCIRCUITS, DIGITAL, 1024 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (PROM) MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/203B)(S/S BY MIL-M-38510/203D)
1024位肖特基双极可编程只读存储器单片硅数字微电路（取代MIL-M-38510/203B）

2001-04-24

现行

MIL DSCC 5962-03202

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, 1024 X 8-BIT BIPOLAR PROM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、1024 X 8位双极PROM、单片硅

2003-01-23

现行

MIL MIL-M-38510/209D Amendment 1

MICROCIRCUITS, DIGITAL, 8192-BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (PROM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/209C)
微电路 数字 8192位肖特基 双极 可编程只读存储器(PROM) 单片硅（取代MIL-M-38510/209C）

1988-10-11

现行

MIL MIL-M-38510/204D Notice 2-Validation

MICROCIRCUIT, DIGITAL, 2048 BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (PROM) MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/204C)
2048位肖特基双极可编程只读存储器单片硅数字微电路（取代MIL-M-38510/204C）

2001-04-24

现行

MIL MIL-M-38510/209D Notice 2-Validation

MICROCIRCUITS, DIGITAL, 8192-BIT SCHOTTKY, BIPOLAR, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (PROM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING MIL-M-38510/209C)
数字微电路 8192位肖特基 双极 可编程只读存储器（PROM） 单片硅（取代MIL-M-38510/209C）

2001-04-24

现行

MIL DSCC 82008K

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, SCHOTTKY BIPOLAR 32K PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY (PROM), MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 82008J)
微电路 存储器 数字 肖特基双极32K可编程只读存储器（PROM） 单片硅（取代DSCC 82008J）

2005-06-30

现行

MIL DESC 5962-95538

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, FLASH, ERASABLE/PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY, 128K X 8-BIT
微电路 混合 存储器 闪存 可擦除/可编程只读存储器 128K X 8位

1996-12-09

现行

MIL MIL-M-38510/224 Amendment 2

MICROCIRCUIT, DIGITAL, 262,144 BIT, MOS, ULTRAVIOLET ERASABLE PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EPROM) MOMOLITHIC SILICON
262144位金属氧化物半导体紫外可擦除可编程只读存储器（EPROM）单片硅数字微电路

1994-07-31

现行

MIL MIL-M-38510/227 Notice 1-Inactivation 1

MICROCIRCUITS, DIGITAL, NMOS, 16,384 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 数字 NMOS 16384位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

1995-07-24

现行

MIL MIL-M-38510/227 Notice 3-Validation 2

MICROCIRCUITS, DIGITAL, NMOS, 16,384 BIT, ELECTRICALLY ERASABLE, PROGRAMMABLE READ-ONLY MEMORY (EEPROM), MONOLITHIC SILICON
微型电路 数字 NMOS 16384位 电可擦除 可编程只读存储器（EEPROM） 单片硅

2006-01-31