现行

JB/T 7626-2013

反向阻断三极晶闸管测试方法
Testing methods for reverse-blocking triode thyristors

2013-04-25

现行

KS C IEC 60747-6-1(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A及以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-1(2021 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

GB/T 6352-1998

半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors，ambient or case-rated，up to 100A

1998-11-17

现行

KS C IEC 60747-6-3(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제3절：100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三节:电流大于100A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-3(2021 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제3절：100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三节:电流大于100A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

SJ 20181-1992

半导体分立器件 ３ＣＴ１０７型反向阻断闸流晶体管详细规范
Semiconductor discrete device--Detail specification for reverse-blocking thyristor for Type 3CT107

1992-11-19

现行

SJ 20179-1992

半导体分立器件 ３ＣＴ１０３型反向阻断闸流晶体管详细规范
Semiconductor discrete device--Detail specification for reverse-blocking thyristor for Type 3CT103

1992-11-19

现行

SJ 20180-1992

半导体分立器件 ３ＣＴ１０５型反向阻断闸流晶体管详细规范
Semiconductor discrete device--Detail specification for reverse-blocking thyristor for Type 3CT105

1992-11-19

现行

GB/T 13151-2005

半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A

2005-03-23

现行

BS QC 750113-1994

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Blank detail specification: reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, for currents greater than 100 A
电子元件质量评定协调体系规范 空白详细规范:电流大于100 A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管

1994-03-15

现行

BS QC 750110-1990

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Reverse blocking triode thyristors, ambient and case-rated, up to 100 A
电子元件质量评定协调体系规范 半导体分立器件 空白详细规范 反向阻断三极晶闸管 环境和外壳额定 高达100 A

1990-02-15

现行

SJ 20182-1992

半导体分立器件 ３ＣＴ６８２、６８３、６８５～６９２和３ＣＴ５２０６型反向阻断闸流晶体管详细规范
Semiconductor discrete device--Detail specification for reverse-blocking thyristor for Types 3CT682,683, 685～692 and 3CT5206

1992-11-19

现行

GB/T 6590-1998

半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part6:Thyristors--Section Two:Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs)，ambient or case-rated，up to 100A

1998-11-17

现行

KS C IEC 60747-6-2(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제2절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 양방향 3극 사이리스터(트라이액)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A及以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-2(2021 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제2절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 양방향 3극 사이리스터(트라이액)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

GB/T 13150-2005

半导体器件 分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范
Semiconductor devices Discret devices Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs),ambient and case-rated,for currents greater than 100A

2005-03-23

现行

BS QC 750111-1991

Specification for harmonized system of quality assessment for electronic components. Semiconductor discrete devices. Blank detail specification. Bidirectional triode thyristors (triacs), ambient or case-rated, up to 100 A
电子元件质量评定协调体系规范 半导体分立器件 空白详细规范 双向三极晶闸管（TRIAC） 环境或外壳额定 高达100 A

1992-01-31