现行

KS C IEC 60747-6(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管

2006-12-27

现行

KS C IEC 60747-6

반도체 소자 — 제6부：개별 소자 —사이리스터
半导体器件第6部分:分立器件晶闸管

2021-12-29

现行

IEC 60747-6-2016

Semiconductor devices - Part 6: Discrete devices - Thyristors
半导体器件 - 第6部分:分立器件 - 晶闸管

2016-04-13

现行

GB/T 13151-2005

半导体器件 分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范
Semiconductor devices Discrete devices Part 6:Thyristors Section Three-Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors,ambient and case-rated,for currents greater than 100A

2005-03-23

现行

GB/T 15291-2015

半导体器件 第6部分：晶闸管
Semiconductor devices—Part 6: Thyristors

2015-12-31

现行

KS C IEC 60747-6-1(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A及以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-2(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제2절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 양방향 3극 사이리스터(트라이액)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A及以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-1(2021 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제1절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第一节:100A以下环境或外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

KS C IEC 60747-6-2(2021 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제2절：100 A 이하의 주위 및 케이스 정격 양방향 3극 사이리스터(트라이액)의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第二节:100A以下环境或外壳额定双向三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

GB/T 6352-1998

半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 6:Thyristors--Section One:Blank detail specification for reverse blocking triode thyristors，ambient or case-rated，up to 100A

1998-11-17

现行

KS C IEC 60747-11(2017 Confirm)

개별 반도체 소자－제11부：개별 소자의 품종 규격
分立半导体器件第11部分:分立器件分规范

2002-12-31

现行

DIN EN 60747-6-DRAFT

Draft Document - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 6: Thyristors (IEC 47E/444/CD:2012)
文件草案-半导体器件-分立器件-第6部分:晶闸管（IEC 47E/444/CD:2012）

2013-01-01

现行

KS C IEC 60747-6-3(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제6부：사이리스터－제3절：100 A 초과의 주위 및 케이스 정격 역방향 저지 3극 사이리스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第6部分:晶闸管第三节:电流大于100A的环境和外壳额定反向阻断三极晶闸管空白详细规范

2006-12-11

现行

UNE 20700-11-1991

SEMICONDUCTOR DEVICES. PART 11: SECTIONAL SPECIFICATION FOR DISCRETE DEVICES.
半导体器件 第11部分:分立器件分规范

1991-09-12

现行

GOST 28624-1990

Приборы полупроводниковые. Часть 11. Групповые технические условия на дискретные приборы
半导体器件 第11部分分立器件的部分规范

现行

GB/T 6590-1998

半导体器件 分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part6:Thyristors--Section Two:Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs)，ambient or case-rated，up to 100A

1998-11-17

现行

BS 11/30252924 DC

BS EN 60747-5-6. Semiconductor devices. Discrete devices. Part 5-6. Optoelectronic devices. Light emitting diodes
英国标准EN 60747-5-6 半导体器件 离散设备 第5-6部分 光电器件 发光二极管

2011-09-07

现行

KS C IEC 60747-7-3(2016 Confirm)

반도체 소자－개별 소자－제7부：바이폴러 트랜지스터－제3절：스위칭용 바이폴러 트랜지스터의 개별 규격 지침
半导体器件分立器件第7部分:双极晶体管第3节:开关用双极晶体管空白详细规范

2006-12-11

现行

DIN EN 60747-5-6-DRAFT

Draft Document - Semiconductor devices - Discrete devices - Part 5-6: Optoelectronic devices - Light emitting diodes (IEC 47E/418/CD:2011)
文件草案-半导体器件-分立器件-第5-6部分:光电子器件-发光二极管（IEC 47E/418/CD:2011）

2011-12-01

现行

GB/T 7576-1998

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范
Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section Four:Blank detail specification for case-rated bipolartransistors for high-frequency amplification

1998-11-17