T/CSTM 01199-2024-多层金属薄膜层结构测量分析方法 X射线光电子能谱-国家数字标准馆

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多层金属薄膜层结构测量分析方法 X射线光电子能谱

发布日期： 2024-01-05

实施日期： 2024-04-05

范围:本文件规定了X射线光电子能谱仪（XPS）深度剖析测量多层金属薄膜层结构的分析方法。
本文件适用于70 nm~240 nm深度内纳米尺度多层金属薄膜层成分、化学态、膜厚的表征;
主要技术内容:本文件规定了X射线光电子能谱仪（XPS）深度剖析测量多层金属薄膜层结构的分析方法。本文件适用于70 nm~240 nm深度内纳米尺度多层金属薄膜层成分、化学态、膜厚的表征

分类信息

发布单位或类别：中国-团体标准

CCS分类： H80冶金 - 半金属与半导体材料 - 半金属与半导体材料综合

ICS分类： 29.045电气工程 - 半导体材料

关联关系

研制信息

归口单位：中关村材料试验技术联盟

起草单位：季华实验室、中国科学院上海硅酸盐研究所、广东工业大学、中国计量科学研究院、宁波新材料测试评价中心有限公司、中材新材料研究院（广州）有限公司

起草人：范燕、卓尚军、严楷、王双、李林清、王海、杨秋、江柯敏、刘海全、谭晓逸、谭军、白敬胜

相似标准/计划/法规

现行

ISO 17109-2022

Surface chemical analysis — Depth profiling — Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry sputter depth profiling using single and multi-layer thin films
表面化学分析.深度剖面.用单层和多层薄膜在X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中测定溅射速率的方法

2022-03-01

现行

GB/T 41064-2021

表面化学分析深度剖析用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法
Surface chemical analysis—Depth profiling—Method for sputter rate determination in X-ray photoelectron spectroscopy, Auger electron spectroscopy and secondary-ion mass spectrometry sputter depth profiling using single and multi-layer thin films

2021-12-31