掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
发布日期：
2014-12-31
实施日期：
2015-09-01
分类信息
关联关系
研制信息
相似标准/计划/法规
【到馆阅览须知】
国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
1. 本馆向在国家数字标准馆网络平台上完成实名注册和预约的读者开放。
2. 请勿在非开放范围随意走动和从事与国家标准馆所提供服务无关的活动。
3. 请勿携带食品、有色和含糖饮料进入阅览区域。
4. 禁止在馆区内吸烟和使用明火，禁止携带易燃、易爆、有毒等危险品。
5. 请注意仪表着装，衣冠整洁得体，言谈举止文明。
6. 请遵守公共秩序和国家标准馆相关管理规定，服从工作人员管理，自觉维护参观秩序和良好的阅读环境。
开放时间：每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：北京市海淀区知春路4号
乘车线路：乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
服务咨询：
赵老师 电话：010-58811369 邮箱：zhaoping@cnis.ac.cn
刘老师 电话：010-58811368 邮箱：liuyzh@cnis.ac.cn
到馆阅读
收藏跟踪
分享链接
购买正版
首页
馆藏资源
舆情信息
标准服务
科研活动
关于我们
️版权归中国标准化研究院所有