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碳化硼-碳化硅芯块 微量元素的测定 电感 耦合等离子体发射光谱法
发布日期: 2021-06-14
实施日期: 2021-06-30
范围:本文件规定了电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)法测定碳化硼-碳化硅芯块中微量元素的方法。 本文件适用于碳化硼-碳化硅芯块材料中铝(Al)、钡(Ba)、钙(Ca)、铬(Cr)、铁(Fe)、 铪(Hf)、镁(Mg)、镍(Ni)、锶(Sr)、钛(Ti)等10种元素的测定; 主要技术内容:建立碳化硼-碳化硅的电感耦合等离子发射光谱法(ICP-OES)电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)法的测试标准。其主要内容包括:1试样的制备。2.测试方法的确定:包括试剂和材料、标准溶液的配制、样品处理、仪器条件、测试过程、测试结果计算。3.检测方法的精密度
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现行
BS EN 15991-2015
Testing of ceramic and basic materials. Direct determination of mass fractions of impurities in powders and granules of silicon carbide by inductively coupled plasma optical emission spectrometry (ICP OES) with electrothermal vaporisation (ETV)
陶瓷和基本材料的测试 电热蒸发电感耦合等离子体发射光谱法直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质的质量分数
2015-11-30
现行
DIN 51096
Testing of ceramic raw and basic materials - Direct determination of mass fractions of impurities in powders and granules of silicon carbide by inductively coupled plasma optical emission spectrometry (ICP OES) and electrothermal vaporisation (ETV)
陶瓷原材料和基础材料的试验.用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP OES)和电热蒸发法(ETV)直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质的质量分数
2008-07-01
现行
EN 15991-2015
Testing of ceramic and basic materials - Direct determination of mass fractions of impurities in powders and granules of silicon carbide by inductively coupled plasma optical emission spectrometry (ICP OES) with electrothermal vaporisation (ETV)
陶瓷和基础材料的测试 - 通过电感耦合等离子体发射光谱法(ICP OES)与电热蒸发(ETV)直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质的质量分数
2015-11-25
现行
DIN 51096-DRAFT
Draft Document - Testing of ceramic raw and basic materials - Direct determination of mass fractions of impurities in powders and granules of silicon carbide by inductively coupled plasma optical emission spectrometry (ICP OES) and electrothermal vaporisation (ETV)
文件草案.陶瓷原材料和基础材料的试验.用电感耦合等离子体发射光谱法(ICP OES)和电热蒸发法(ETV)直接测定碳化硅粉末和颗粒中杂质的质量分数
2007-09-01