现行

MIL DSCC 5962-06203

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS/SOI, 512K X 8-BIT, RADIATIONHARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON
微电路、存储器、数字、CMOS/SOI、512K X 8位、抗辐射、低压SRAM、单片硅

2006-07-18

现行

MIL DSCC 5962-96877C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATIONHARDENED, CMOS, 128K X 8 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-96877A)
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS、128K X 8静态RAM、单片硅（取代DSCC 5962-96877A）

2006-02-26

现行

MIL DSCC 5962-98615A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATIONHARDENED, CMOS, LOW VOLTAGE, 128K X 8-BIT STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-98615)
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS、低压、128K X 8位静态RAM、单片硅（取代DSCC 5962-98615）

2006-01-18

现行

MIL DSCC 5962-93156B

MICROCIRCUIT, HYBRID, MEMORY, DIGITAL, STATIC RANDOM ACCESS MEMORY, CMOS, 128K X 8-BIT (SUPERSEDING DESC 5962-93156A)
微电路 混合 存储器 数字 静态随机存取存储器 CMOS 128K X 8位（取代DESC 5962-93156A）

2000-07-10

现行

MIL DSCC 5962-96891D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, RADIATIONHARDENED, 32K X 8-BIT PROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-96891C)
微电路、存储器、数字、CMOS、抗辐射、32K X 8位PROM、单片硅（取代DSCC 5962-96891C）

2006-07-07

现行

MIL DSCC 5962-38267H

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K X 8 BIT EEPROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-38267G)
微电路 存储器 数字 CMOS 128K X 8位EEPROM 单片硅（取代DSCC 5962-38267G）

2006-05-15

现行

MIL DSCC 5962-89614F

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 128K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DESC 5962-89614D)
微电路、存储器、数字、CMOS、128K X 8位UVEPROM、单片硅（取代DESC 5962-89614D）

2003-02-05

现行

MIL DSCC 5962-96691D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, SRAM, 128K X 8-BIT, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-96691C)
微电路、存储器、数字、CMOS、SRAM、128K X 8位、单片硅（取代DSCC 5962-96691C）

2006-03-07

现行

MIL DESC 5962-91682

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K X 8 BIT 5-VOLT PROGRAMMING E EPROM, MONOLITHIC SILICON
微电路 存储器 数字 CMOS 128K X 8位5伏编程E EPROM 单片硅

1993-08-05

现行

MIL DSCC 5962-90899D

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 128K X 8-BIT FLASH EEPROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-90899C)
微电路、存储器、数字、CMOS 128K X 8位闪存EEPROM、单片硅（取代DSCC 5962-90899C）

2006-12-21

现行

MIL DSCC 5962-05208B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 512K X 8-BIT, RADIATIONHARDENED, LOW VOLTAGE SRAM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-05208A)
微电路、存储器、数字、CMOS、512K X 8位、抗辐射、低压SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-05208A）

2006-01-17

现行

MIL DSCC 5962-89598R

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 128K X 8 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM) LOW POWER, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-89598P)
微电路 存储器 数字 CMOS 128K X 8静态随机存取存储器（SRAM） 低功耗 单片硅（取代DSCC 5962-89598P）

2006-02-13

现行

MIL DSCC 5962-96877A Notice B-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS, 128K X 8 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-96877)(S/S BY DSCC 5962-96877C)
微电路、存储器、数字、辐射有序、CMOS、128K X 8静态RAM、单片硅（取代DSCC 5962-96877）

1998-04-20

现行

MIL DSCC 5962-95845C

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, RADIATION-HARDENED, CMOS/SOI, 32K X 8 STATIC RAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-95845B)
微电路、存储器、数字、抗辐射、CMOS/SOI、32K X 8静态RAM、单片硅（取代DSCC 5962-95845B）

2002-04-08

现行

MIL DSCC 5962-02501B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 128K X 8-BIT, LOW VOLTAGE (3.3 V) SRAM, MONOLITHIC SILICON (SUPERSEDING DSCC 5962-02501A)
微电路、存储器、数字、CMOS、128K X 8位、低压（3.3 V）SRAM、单片硅（取代DSCC 5962-02501A）

2004-09-07

现行

MIL DSCC 5962-98644A

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, SOI, RADIATION- HARDENED, 32K X 8-BIT MASK PROGRAMMABLE ROM, MONOLITHIC SILICON(SUPERSEDING DSCC 5962-98644)
微电路、存储器、数字、CMOS、SOI、抗辐射、32K X 8位掩模可编程ROM、单片硅（取代DSCC 5962-98644）

2006-01-13

现行

MIL DESC 5962-90658

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 4K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-90658A)
微电路、存储器、数字、CMOS、4K X 8位UVEPROM、单片硅（由DSCC 5962-90658A提供）

1992-09-11

现行

MIL DESC 5962-90912

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS 256K X 8-BIT UVEPROM, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-90912A)
微电路、存储器、数字、CMOS 256K X 8位UVEPROM、单片硅（由DSCC 5962-90912A提供）

1992-11-06

现行

MIL DESC 5962-85525B

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL CMOS, 8K X 8 STATIC RANDOM ACCESS MEMORY (SRAM), MONOLITHIC SILICON (S/S BY DSCC 5962-38294G)
微电路、存储器、数字CMOS、8K X 8静态随机存取存储器（SRAM）、单片硅（由DSCC 5962-38294G提供S/S）

1990-10-29

现行

MIL DESC 5962-90869 Notice A-Revision

MICROCIRCUIT, MEMORY, DIGITAL, CMOS, 64K X 8 ELECATRICALLY ERASABLE PROGRAMMABLE READ ONLY MEMORY, MONOLITHIC SILICON(S/S BY DSCC 5962-90869C)
微型电路 存储器 数字 CMOS 64K X 8电可擦除可编程只读存储器 单片硅（由DSCC 5962-90869C制造）

1992-01-22