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被代替
GB/T 1558-2009
硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
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Test method for substitutional atomic carbon concent of silicon by infrared absorption
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
被代替
GB/T 1551-2009
硅单晶电阻率测定方法
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Test method for measuring resistivity of monocrystal silicon
发布单位或类别：国家标准
发布日期： 2009-10-30
现行
SJ 51427/18-2016
C1-6.0/125-2-D型偏振保持光纤详细规范
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Detail specification for polarization maintaining optical fiber of Cl-6.0/125-2-D
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2016-01-19
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ/T 11319-2005
锡焊料动态条件氧化渣量定量试验方法
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Quantity test method of the oxidation sludge in the tin solder
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2005-06-28
现行
SJ 21447-2018
CdSe-N-T01 型红外国体激光器用晒化镉单晶材料规范
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Specification for cadmium selenide monocrystal of CdSe-N-TOl used for infrared solid state laser
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2018-01-18
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ 21446-2018
CdS-N-T 型红外/紫外双色探测用硫化镉单晶片规范
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Specification for cadmium sulfide monocrystalline wafers of CdS-N-T used for infrared/ultraviolet two-color detector
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2018-01-18
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ 21445-2018
CdS-N 型红外/紫外双色探测用硫化镉单晶片规范
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Specification for cadmium sulfide monocrystalline wafers of CdS-N used for infrared/ultraviolet two-color detector
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2018-01-18
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ 21444-2018
β-Ga203-N 型氧化镓单晶片规范
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Specification for gallium oxide monocrystalline wafers of β-Ga203-N
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2018-01-18
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ 21443-2018
GaN-N 型低阻氮化镓单晶片规范
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Specification for low resisfance gallium nitridemonocrystalline wafers of GaN-N
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2018-01-18
CCS分类：
ICS分类：
现行
SJ 21442-2018
GaN-SI 型半绝缘氮化镓单晶片规范
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Specification for semi-insulating gallium nitride monocrystalline wafers of GaN-SI
发布单位或类别：行业标准-电子
发布日期： 2018-01-18
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