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发布时间
现行
GB/T 30656-2023
碳化硅单晶抛光片
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Polished monocrystalline silicon carbide wafers
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-03-17
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
现行
GB/T 42902-2023
碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法
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Test method for surface defects on silicon carbide epitaxial wafers—Laser scattering method
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-08-06
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
正在征求意见
20231108-T-469
碳化硅单晶片微管密度测试方法
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Test method for micropipe density of monocrystalline silicon carbide
发布单位或类别：
国家标准计划
下达日期：
2023-12-01
CCS分类：
ICS分类：
77.040金属材料试验
正在征求意见
20231112-T-469
碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法
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Test method for thickness and fltaness of monocrystalline silicon carbide wafers
发布单位或类别：
国家标准计划
下达日期：
2023-12-01
CCS分类：
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 42271-2022
半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法
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Test method for resistivity of semi-insulating monocrystalline silicon carbide by contactless measurement
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2022-12-30
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
正在起草
20240494-T-469
碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法
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Test method for stacking faults of polished silicon carbide single crystal wafers
发布单位或类别：
国家标准计划
下达日期：
2024-03-25
CCS分类：
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
T/CASAS 032-2023
碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2023-06-19
CCS分类：
ICS分类：
现行
T/CASAS 026-2023
碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法
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发布单位或类别：
团体标准
发布日期：
2023-06-19
CCS分类：
ICS分类：
现行
GB/T 42905-2023
碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法
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Test method for thickness of silicon carbide epitaxial layer—Infrared reflectance method
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2023-08-06
CCS分类：
H21金属物理性能试验方法
ICS分类：
77.040金属材料试验
现行
GB/T 43885-2024
碳化硅外延片
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Silicon carbide epitaxial wafers
发布单位或类别：
国家标准
发布日期：
2024-04-25
CCS分类：
H83化合物半导体材料
ICS分类：
29.045半导体材料
【到馆阅览须知】
国家标准馆位于北京市海淀区知春路4号，可接待到馆读者，为读者提供标准文献检索、文献阅览、信息咨询、信息跟踪、信息推送等服务。
1. 本馆向在国家数字标准馆网络平台上完成实名注册和预约的读者开放。
2. 请勿在非开放范围随意走动和从事与国家标准馆所提供服务无关的活动。
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开放时间：
每周一至周五8:30-17:00（节假日不开放）
地 址：
北京市海淀区知春路4号
乘车线路：
乘坐地铁10号线、昌平线，在西土城站下车D口出后西行150米即可到达。
服务咨询：
赵老师 电话：010-58811369 邮箱：zhaoping@cnis.ac.cn
刘老师 电话：010-58811368 邮箱：liuyzh@cnis.ac.cn
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